[发明专利]多晶硅清洗方法在审
| 申请号： | 201110186651.0 | 申请日： | 2011-07-05 |
| 公开（公告）号： | CN102251242A | 公开（公告）日： | 2011-11-23 |
| 发明（设计）人： | 王晓楠;侯俊峰;杨光军;胡永;李峰 | 申请（专利权）人： | 国电宁夏太阳能有限公司 |
| 主分类号： | C23F1/24 | 分类号： | C23F1/24;C30B33/10;C30B29/06 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 逯长明 |
| 地址： | 753202 宁夏回族自治区石*** | 国省代码： | 宁夏;64 |
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| 摘要： | 本发明实施例公开了一种多晶硅清洗方法，该方法包括：将多晶硅置于SC-1清洗液中对其进行第一次清洗；采用纯水对所述多晶硅进行第一次漂洗；采用臭氧对所述多晶硅进行第一次干燥处理；将多晶硅置于硝酸和氢氟酸的混合溶液中对其进行第二次清洗；采用纯水对所述多晶硅进行第二次漂洗。本发明所提供的多晶硅清洗方法，不仅能够去除多晶硅表面的绝大部分杂质，而且还能去除多晶硅表面的油污和手印等有机物，从而可使清洗后的多晶硅表面的清洁度达到要求。 | ||
| 搜索关键词： | 多晶 清洗 方法 | ||
【主权项】：
一种多晶硅清洗方法，其特征在于，包括：将多晶硅置于SC 1清洗液中对其进行第一次清洗；采用纯水对所述多晶硅进行第一次漂洗；采用臭氧对所述多晶硅进行第一次干燥处理；将多晶硅置于硝酸和氢氟酸的混合溶液中对其进行第二次清洗；采用纯水对所述多晶硅进行第二次漂洗。
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- 一种多晶硅碳头料分离腐蚀液及分离方法。本发明涉及一种多晶硅碳头料的分离腐蚀液及分离方法，应用于处理气相沉积法生产的碳头料的分离方法及分离腐蚀液的制备。分离腐蚀液的特点是在其组分中按重量份含有：高纯硫酸溶液55～97，高锰酸钾2～30，钠盐1～15。分离方法的特点是含有以下步骤：一、将高纯硫酸溶液55～97重量份，高锰酸钾2～30重量份，钠盐1～15重量份混合、搅拌，形成混合液；二、取碳头料投入此混合液中浸泡1.5h～16h；三、取出碳头料、洗净后用重量比为硝酸：氢氟酸=5:1的洗涤液清洗其表面，时间为：1～3min；四、将处理后的料用纯水超声波清洗30min，烘干。
- 一种腐蚀溶液组合物、腐蚀方法及生成的硅晶片-200910242300.X
- 林国胜 - 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
- 2009-12-08 - 2011-06-08 - C23F1/24
- 为了解决现有技术文件腐蚀后硅晶片腐蚀面上生成二氧化硅层，影响产品的质量的问题，本发明公开了一种腐蚀溶液组合物、腐蚀方法及生成的硅晶片，本发明公开的方法包括：对硅晶片待腐蚀面进行物理研磨，采用体积比例为1∶5∶5，浓度依次为48.5％-49.5％、69％-71％和99.3％-100％的氢氟酸、硝酸和醋酸组成的组合物对研磨面进行腐蚀生成腐蚀面，正是由于采用上述的组合物对研磨面进行腐蚀，进而避免腐蚀面上生成二氧化硅层，提高了硅晶片的质量。
- 一种半导体晶圆的超厚度化学减薄方法-201010502008.X
- 保爱林;吴金姿 - 绍兴旭昌科技企业有限公司
- 2010-10-01 - 2011-05-18 - C23F1/24
- 本发明公开了一种半导体晶圆的超厚度化学减薄方法，其包括如下工艺步骤：制作晶圆正面保护材料；采用不锈钢圆盘作为支撑材料，将其置于加热台上，并将混熔的石蜡和松香均匀涂抹于不锈钢圆盘上；将晶圆置于加热台上，将混熔的石蜡和松香均匀涂抹于晶圆上；将涂有混熔石蜡和松香的晶圆正面与不锈钢圆盘粘合在一起，在晶圆的边缘放置蚀刻陪片，然后将其移至冷却台上冷却；将贴着晶圆的不锈钢圆盘放入混合酸中进行多次腐蚀，直到腐蚀厚度达到要求。本发明的半导体晶圆的超厚度化学减薄方法具有工艺简单，减薄精度高等诸多优点。
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