[发明专利]一种新型SOI材料及其制备方法无效
| 申请号： | 201110186103.8 | 申请日： | 2011-07-05 |
| 公开（公告）号： | CN102222673A | 公开（公告）日： | 2011-10-19 |
| 发明（设计）人： | 曾少海;左青云 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L21/762 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201210 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种新型SOI材料包括一半导体衬底、第一绝缘层、以及第二绝缘层，其中所述第一绝缘层的材料为二氧化铈，所述第二绝缘层的材料为单晶硅，本发明还涉及该SOI材料的制备方法。本发明所述新型SOI材料的均匀性好、化学性质稳定，并且形成该SOI材料的制备工艺简单、易于控制。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 新型 soi 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种新型SOI材料，其特征在于，包括一半导体衬底、沉积于所述半导体衬底之上的第一绝缘层、以及沉积于所述第一绝缘层之上的第二绝缘层，其中所述第一绝缘层的材料为二氧化铈，所述第二绝缘层的材料为单晶硅。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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