[发明专利]Fe掺杂CuO稀磁半导体材料的制备方法无效
| 申请号： | 201110185833.6 | 申请日： | 2011-07-01 |
| 公开（公告）号： | CN102351236A | 公开（公告）日： | 2012-02-15 |
| 发明（设计）人： | 赵婧;刘喆;王军喜;李晋闽 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | C01G3/02 | 分类号： | C01G3/02;B82Y30/00;B82Y40/00;H01F1/40;H01L43/12 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种Fe掺杂CuO纳米稀磁半导体材料的制备方法，包括如下步骤：步骤1：将CuSO4和FeSO4分别按比例混合后，再与过量的NaOH充分混合，形成混合物；步骤2：将混合物在玛瑙研钵中进行研磨，使混合物充分接触并发生化学反应，不断研磨直至反应体系的颜色完全转变为黑色，固相反应不再进行，形成反应产物；步骤3：将得到的反应产物用去离子水多次清洗，过滤出不溶于水的反应产物；步骤4：将过滤出的不溶于水的反应产物在干燥箱中烘干后研磨，得到前驱体粉末；步骤5：将前驱体粉末置于石英舟中，放入管式反应炉的中部，在Ar气氛下退火，得到黑色的纳米粉末，完成Fe掺杂CuO纳米稀磁半导体材料的制备。 | ||
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【主权项】：
一种Fe掺杂CuO纳米稀磁半导体材料的制备方法，包括如下步骤：步骤1：将CuSO4和FeSO4分别按比例混合后，再与过量的NaOH充分混合，形成混合物；步骤2：将混合物在玛瑙研钵中进行研磨，使混合物充分接触并发生化学反应，不断研磨直至反应体系的颜色完全转变为黑色，固相反应不再进行，形成反应产物；步骤3：将得到的反应产物用去离子水多次清洗，过滤出不溶于水的反应产物；步骤4：将过滤出的不溶于水的反应产物在干燥箱中烘干后研磨，得到前躯体粉末；步骤5：将前躯体粉末置于石英舟中，放入管式反应炉的中部，在Ar气氛下退火，得到黑色的纳米粉末，完成Fe掺杂CuO纳米稀磁半导体材料的制备。
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