[发明专利]一种绝缘体上硅二极管器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201110183539.1 | 申请日： | 2011-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN102244030A | 公开（公告）日： | 2011-11-16 |
| 发明（设计）人： | 毕津顺;海潮和;韩郑生;罗家俊 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L21/84;H01L27/12 |
| 代理公司： | 北京汉昊知识产权代理事务所(普通合伙) 11370 | 代理人： | 朱海波 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种绝缘体上硅二极管器件的制造方法，该方法包括以下步骤：提供SOI衬底，该SOI衬底包括基底层、位于该基底层之上的埋氧层、以及位于该埋氧层之上的器件层；刻蚀部分所述器件层形成沟槽，并在所述沟槽内形成第一浅沟槽隔离；在所述第一浅沟槽隔离下方的器件层内形成第一型区域，在所述第一型区域两侧的器件层内分别形成第一型注入区域以及第二型注入区域，其中，所述第一型注入区域和第二型注入区域的注入剂量大于所述第一型区域的注入剂量。相应地，本发明还提供一种绝缘体上硅二极管器件。本发明不但避免了寄生电容以及侧向pn结的存在，还可以有效地防止二极管器件的pn结被接触层短接，且工艺简单，与目前主流CMOS工艺技术相兼容。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 绝缘体 二极管 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种绝缘体上硅二极管器件的制造方法，该方法包括以下步骤：a)提供SOI衬底，该SOI衬底包括基底层(302)、位于该基底层(302)之上的埋氧层(301)、以及位于该埋氧层(301)之上的器件层(303)；b)刻蚀部分所述器件层(303)形成沟槽(304)，并在所述沟槽(304)内形成第一浅沟槽隔离(802)；c)在所述第一浅沟槽隔离(802)下方的器件层(303)内形成第一型区域(307)，在所述第一型区域(307)两侧的器件层(303)内分别形成第一型注入区域(305)以及第二型注入区域(306)，其中，所述第一型注入区域(305)和第二型注入区域(306)的注入剂量大于所述第一型区域(307)的注入剂量。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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