[发明专利]场阻断型半导体器件的制作方法有效
| 申请号： | 201110178650.1 | 申请日： | 2011-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN102412147A | 公开（公告）日： | 2012-04-11 |
| 发明（设计）人： | 肖胜安 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/331 | 分类号： | H01L21/331;H01L21/22;H01L21/265 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种场阻断型半导体器件的制作方法，本发明方法是将场阻断层的制造工艺放在器件制造的其它工艺如器件的正面工艺之前，这样在形成场阻断层时即使采用高温工艺也能避免对器件的其它工艺如金属材料的影响，从而能提高场阻断层形成工艺的灵活性和可调性，能形成深度范围大、杂质浓度和浓度分布可调、具有好的激活率的场阻断层；另外，本发明方法不再需要采用成本昂贵的激光退火工艺，从而能降低成本。 | ||
| 搜索关键词： | 阻断 半导体器件 制作方法 | ||
【主权项】：
一种场阻断型半导体器件的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一、从背面对第一导电类型硅片进行减薄，将所述硅片减薄到需要的厚度；第一导电类型为场阻断型半导体器件的漂移区的掺杂类型；步骤二、在减薄的所述硅片的背面上形成一场阻断层，所述场阻断层为第一导电类型掺杂、且所述场阻断层的第一导电类型载流子浓度是所述硅片中的第一导电类型载流子浓度的2倍以上；步骤三、在所述硅片的正面上完成场阻断型半导体器件的正面工艺。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华虹NEC电子有限公司，未经上海华虹NEC电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201110178650.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
