[发明专利]发光二极管及其制造方法无效
| 申请号： | 201110172425.7 | 申请日： | 2011-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN102222745A | 公开（公告）日： | 2011-10-19 |
| 发明（设计）人： | 张汝京;肖德元;程蒙召 | 申请（专利权）人： | 映瑞光电科技（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/20 | 分类号： | H01L33/20;H01L33/00 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201306 上海市浦东新区上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种发光二极管及其制造方法，所述发光二极管包括：衬底；形成于所述衬底上的缓冲层；形成于所述缓冲层上的第一导电半导体层、有源层以及第二导电半导体层，所述第一导电半导体层与所述第二导电半导体层具有相反掺杂类型；其中，所述衬底邻近所述缓冲层的一侧表面形成有多个凹槽，位于所述沟槽内的缓冲层中形成有空洞。由于所述空洞的存在，可提高器件的内量子效率和外量子效率，增加了发光二极管的发光强度。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种发光二极管，其特征在于，包括：衬底；形成于所述衬底上的缓冲层；形成于所述缓冲层上的第一导电半导体层、有源层以及第二导电半导体层，所述第一导电半导体层与所述第二导电半导体层具有相反掺杂类型；其中，所述衬底邻近所述缓冲层的一侧表面形成有多个凹槽，位于所述沟槽内的缓冲层中形成有空洞。
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