[发明专利]LED芯片的制造方法无效
| 申请号： | 201110172217.7 | 申请日： | 2011-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN102255009A | 公开（公告）日： | 2011-11-23 |
| 发明（设计）人： | 于洪波;肖德元;程蒙召;张汝京 | 申请（专利权）人： | 映瑞光电科技（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/44;C23C16/34;C23C16/02 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201306 上海浦东新区临*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提出一种LED芯片的制造方法，包括如下步骤：提供半导体衬底，在半导体衬底上采用金属有机化学气相淀积依次生长氮化物成核层、非掺杂氮化物层、N型氮化物层、多量子阱、P型氮化物层；在P型氮化物层上沉积掩膜层；蚀刻掩膜层以形成周期性图形结构窗口，所述周期性图形结构窗口内暴露出P型氮化物层；采用金属有机化学气相淀积外延的方法，在周期性图形结构窗口内、P型氮化物层表面上，形成掺杂锥形结构；去除掩膜层，形成由P型氮化物层和掺杂锥形结构构成的P型外延层。由上述技术方案的实施，提供了一种实现LED芯片的制造方法，以提高氮化物发光二极管的取光效率。 | ||
| 搜索关键词： | led 芯片 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种LED芯片的制造方法，包括如下步骤：提供半导体衬底，在半导体衬底上采用金属有机化学气相淀积依次生长氮化物成核层、非掺杂氮化物层、N型氮化物层、多量子阱、P型氮化物层；在P型氮化物层上沉积掩膜层；蚀刻掩膜层以形成周期性图形结构窗口，所述周期性图形结构窗口内暴露出P型氮化物层；采用金属有机化学气相淀积外延的方法，在周期性图形结构窗口内、P型氮化物层表面上，形成掺杂锥形结构；去除掩膜层，形成由P型氮化物层和掺杂锥形结构构成的P型外延层。
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