[发明专利]键合封装及其方法无效
| 申请号： | 201110162200.3 | 申请日： | 2011-06-16 |
| 公开（公告）号： | CN102290357A | 公开（公告）日： | 2011-12-21 |
| 发明（设计）人： | 迈克尔·罗瑟 | 申请（专利权）人： | NXP股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L21/50;H01L23/28;H01L23/488 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 王波波 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请公开了一种键合封装及其方法。本发明实现了用于制造电路的无铅或者实质上无铅结构及其相关方法。根据各种示例实施例，使用铜-锡(Cu-Sn)合金结合电路部件，所述Cu-Sn合金熔化且用于形成具有比Cu-Sn合金更高熔点的Cu-Sn化合物，并且将电路部件物理和电学地连接在一起。 | ||
| 搜索关键词： | 封装 及其 方法 | ||
【主权项】：
一种制造集成电路器件的方法，所述方法包括：将阻挡层‑粘附促进剂溅射到键合连接表面上；将Cu种子层涂覆在所述阻挡层‑粘附促进剂上；将Cu镀覆到种子层上以形成镀覆Cu层；将Sn层引入到所述镀覆Cu层；加热Cu和Sn以形成Cu‑Sn合金，熔化所述Cu‑Sn合金，以及使实质上所有的Sn起反应以从所述合金形成Cu‑Sn金属间化合物，所述Cu‑Sn金属间化合物将所述连接表面与另一个连接器过孔物理和电学地相连。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
