[发明专利]一种多孔碳化硅陶瓷材料的制备方法无效
| 申请号： | 201110159345.8 | 申请日： | 2011-06-14 |
| 公开（公告）号： | CN102260092A | 公开（公告）日： | 2011-11-30 |
| 发明（设计）人： | 左开慧;曾宇平 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 主分类号： | C04B38/00 | 分类号： | C04B38/00;C04B35/565;C04B35/622 |
| 代理公司： | 上海海颂知识产权代理事务所(普通合伙) 31258 | 代理人： | 何葆芳 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种多孔碳化硅陶瓷材料的制备方法，其包括：a)将SiC粉体、烧结助剂和分散剂加入到水中，制备固含量为10～60wt％的陶瓷水基浆料；b)将浆料浇注到模具中，在-200～0℃冷冻成素坯；c)将冷冻的素坯于-60～80℃及5～600Pa的环境下干燥4～48小时，得到多孔素坯；d)将得到的多孔素坯进行高温固相烧结。本发明利用冷冻干燥和高温固相烧结技术的结合，制备出了一种能够使用于高于1500℃的高温环境中的多孔碳化硅陶瓷材料，并且，通过调节浆料的固含量、浆料中添加的有机聚合物的含量及固相烧结温度，可得到不同气孔率和强度的多孔SiC陶瓷材料，可满足SiC陶瓷在不同领域的应用要求。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 多孔 碳化硅 陶瓷材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种多孔碳化硅陶瓷材料的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：a)将SiC粉体、烧结助剂和分散剂加入到水中，以SiC为球磨介质进行球磨使分散均匀，得到固含量为10～60wt％的陶瓷水基浆料；b)将步骤a)得到的浆料浇注到模具中，在‑200～0℃冷冻成素坯；c)将冷冻的素坯于‑60～80℃及5～600Pa的环境下干燥4～48小时，得到多孔素坯；d)将步骤c)得到的多孔素坯进行高温固相烧结，即得多孔碳化硅陶瓷材料。
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