[发明专利]一种沟槽MOS结构半导体装置及其制备方法有效
| 申请号： | 201110159093.9 | 申请日： | 2011-06-13 |
| 公开（公告）号： | CN102832242A | 公开（公告）日： | 2012-12-19 |
| 发明（设计）人： | 朱江 | 申请（专利权）人： | 朱江 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 310018 浙江省杭州市下*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种沟槽MOS结构半导体装置，沟槽内壁下部生长有栅氧，沟槽内填充有多晶硅，沟槽边侧的硅体内从上往下设置有体接触区、源区、体区和漏区，本发明的半导体装置是功率MOS晶体管和超级势垒整流器的基础结构；本发明还提供一种半导体装置的制备方法。应用本发明的半导体装置和制备方法以制造超级势垒整流器为例，不仅可以通过两次光刻工艺实现器件的制造，而且提高了器件的导通电流密度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 沟槽 mos 结构 半导体 装置 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种沟槽MOS结构半导体装置，其特征在于：包括：多个沟槽位于第一导电类型半导体材料表面，沟槽内壁的底部和侧壁的下部表面设置有绝缘介质，沟槽侧壁的上部没有绝缘介质，沟槽内填充有栅极介质；沟槽之间或沟槽边缘半导体材料上部设置有第二导电类型半导体材料构成体区，体区上表面设置有绝缘介质；体区内上部且临靠沟槽设置有高浓度杂质掺杂的第二导电类型半导体材料构成的体接触区；体区内位于体接触区下部且临靠沟槽设置有第一导电类型半导体材料构成的源区，并且源区与源区之间半导体材料为体区；沟槽边侧的半导体材料内从上往下设置有体接触区、源区、体区和第一导电类型半导体材料构成的漏区。
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