[发明专利]双P型掺杂层的有机发光二极管有效
| 申请号： | 201110153287.8 | 申请日： | 2011-06-09 |
| 公开（公告）号： | CN102214801A | 公开（公告）日： | 2011-10-12 |
| 发明（设计）人： | 秦大山 | 申请（专利权）人： | 河北工业大学 |
| 主分类号： | H01L51/52 | 分类号： | H01L51/52;H01L51/54;H01L51/56;C09K11/06 |
| 代理公司： | 天津翰林知识产权代理事务所(普通合伙) 12210 | 代理人： | 赵凤英 |
| 地址： | 300401 天*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明为一种双P型掺杂层的有机发光二极管，是一种使用双层P型掺杂薄膜增强空穴注入的有机发光二极管，由玻璃衬底上的一层阳极、一层沉积在阳极上的有机P型掺杂空穴传输层、一层沉积在有机P型掺杂空穴传输层上的有机P型掺杂空穴传输辅助层、一层沉积在有机P型掺杂空穴传输辅助层上的有机空穴传输层、一层沉积在有机空穴传输层上的有机发光层，一层沉积在有机发光层上的电子注入层和沉积在电子注入层上的一层阴极组成。本发明跟传统的使用单层P型掺杂薄膜相比，电流密度比高出近70倍，能够显著提高器件性能，具有广阔的应用市场和极大的商业价值。 | ||
| 搜索关键词： | 掺杂 有机 发光二极管 | ||
【主权项】：
一种双P型掺杂层的有机发光二极管，其特征为该二极管是一种使用双层P型掺杂薄膜增强空穴注入的有机发光二极管，由玻璃衬底上的一层阳极、一层沉积在阳极上的有机P型掺杂空穴传输层、一层沉积在有机P型掺杂空穴传输层上的有机P型掺杂空穴传输辅助层、一层沉积在有机P型掺杂空穴传输辅助层上的有机空穴传输层、一层沉积在有机空穴传输层上的有机发光层，一层沉积在有机发光层上的电子注入层和沉积在电子注入层上的一层阴极组成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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