[发明专利]双P型掺杂层的有机发光二极管

权利要求书

1.一种双P型掺杂层的有机发光二极管，其特征为该二极管是一种使用双层P型掺杂薄膜增强空穴注入的有机发光二极管，由玻璃衬底上的一层阳极、一层沉积在阳极上的有机P型掺杂空穴传输层、一层沉积在有机P型掺杂空穴传输层上的有机P型掺杂空穴传输辅助层、一层沉积在有机P型掺杂空穴传输辅助层上的有机空穴传输层、一层沉积在有机空穴传输层上的有机发光层，一层沉积在有机发光层上的电子注入层和沉积在电子注入层上的一层阴极组成。

2.如权利要求1所述的双P型掺杂层的有机发光二极管，其特征为所述阳极是厚度为100nm的导电氧化铟锡薄膜，或20nm厚的贵金属薄膜，所述的贵金属为金或银。

3.如权利要求2所述的双P型掺杂层的有机发光二极管，其特征为所述氧化铟锡导电薄膜的面电阻小于10欧姆/每4×4cm²方块。

4.如权利要求1所述的双P型掺杂层的有机发光二极管，其特征为所述沉积在阳极上的有机P型掺杂空穴传输层的材料是在4，4′，4″-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺中掺杂2，3，5，6-四氟-7，7′，8，8′-四氰二甲基对苯醌，其质量配比为4，4′，4″-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺∶2，3，5，6-四氟-7，7′，8，8′-四氰二甲基对苯醌＝1∶0.01～0.5；或在N4，N4，N4′，N4′-四(4-甲氧基苯基)-[1，1′-联苯]-4，4′-二胺中掺杂2，3，5，6-四氟-7，7′，8，8′-四氰二甲基对苯醌，其质量配比为N4，N4，N4′，N4′-四(4-甲氧基苯基)-[1，1′-联苯]-4，4′-二胺∶2，3，5，6-四氟-7，7′，8，8′-四氰二甲基对苯醌＝1∶0.01～0.5。

5.如权利要求1所述的双P型掺杂层的有机发光二极管，其特征为所述沉积在有机P型掺杂空穴传输层上的有机P型掺杂空穴传输辅助层的材料是在4，4′-二(9-咔唑)联苯中掺杂三[1，2-二(三氟甲基)乙烷-1，2-二硫醇烯]钼，其质量配比为4，4′-二(9-咔唑)联苯∶三[1，2-二(三氟甲基)乙烷-1，2-二硫醇烯]钼＝1∶0.01～0.5；或4，4′，4″-三(咔唑-9-基)三苯胺中掺杂三氧化钨，其质量配比为4，4′，4″-三(咔唑-9-基)三苯胺∶三氧化钨＝1∶0.01～0.5。

6.如权利要求1所述的双P型掺杂层的有机发光二极管，其特征为所述沉积在有机P型掺杂空穴传输辅助层的有机空穴传输层的材料是4，4′-二(9-咔唑)联苯或4，4′，4″-三(咔唑-9-基)三苯胺。

7.如权利要求1所述的双P型掺杂层的有机发光二极管，其特征为所述沉积在有机空穴传输层的有机发光层的材料是三(8-羟基喹啉)铝(III)。

8.如权利要求1所述的双P型掺杂层的有机发光二极管，其特征为所述沉积在有机发光层上的电子注入层的材料是氟化锂。

9.如权利要求1所述的双P型掺杂层的有机发光二极管，其特征为所述沉积在电子注入层上的阴极的材料是铝。

10.如权利要求1所述的双P型掺杂层的有机发光二极管的制备方法，其特征为步骤如下：

第一步，衬底上的阳极的处理

把以阳极覆盖的玻璃衬底称为阳极衬底，这层阳极可以是金、银或氧化铟锡导电薄膜；将该阳极衬底裁成4×4cm²的小块，依次在盛有丙酮、乙醇和去离子水的超声波清洗器中清洗，用前述每种溶剂分别清洗两次，每次10分钟，之后用氮气吹干，然后放入蒸空镀膜机中，蒸空镀膜机抽到背景真空度为4×10^-4Pa；

第二步，在阳极上沉积有机P型掺杂空穴传输层

采用热蒸发方式，在第一步处理过的阳极上沉积m-MTDATA中掺杂F₄TCNQ的薄膜作为有机P型掺杂空穴传输层，厚度为7-200nm，掺杂质量比为：m-MTDATA∶F₄TCNQ＝1∶0.01～1∶0.5；或在在第一步处理过的阳极上沉积MeO-TPD中掺杂F₄TCNQ的薄膜作为有机P型掺杂空穴传输层，厚度为7-200nm，掺杂质量比为：MeO-TPD∶F₄TCNQ＝1∶0.01～1∶0.5；

第三步，在有机P型掺杂空穴传输层上沉积有机P型掺杂空穴传输辅助层

采用热蒸发方式，在第二步沉积的有机P型掺杂空穴传输层上再沉积CBP中掺杂Mo(tfd)₃的薄膜作为有机P型掺杂空穴传输辅助层，厚度为1-3nm，掺杂质量比为：CBP∶Mo(tfd)₃＝1∶0.01～0.5；或在第二步沉积的有机P型掺杂空穴传输层上再沉积TCTA中掺杂WO₃的薄膜作为有机P型掺杂空穴传输辅助层，厚度为1-3nm，掺杂质量比为：TCTA∶WO₃＝1∶0.01～0.5；

第四步，在有机P型掺杂空穴传输辅助层上沉积有机空穴传输层

采用热蒸发方式，在第三步沉积的有机P型掺杂空穴传输辅助层上再沉积CBP或TCTA薄膜作为有机空穴传输层，厚度为10-50nm，沉积速率为

第五步，在有机空穴传输层上沉积有机发光层

采用热蒸发方式，在第四步沉积的有机空穴传输层上沉积Alq3薄膜有机发光层，厚度为60nm，沉积速率为

第六步，在有机发光层上沉积电子注入层

采用热蒸发方式，在第五步沉积的有机发光层上再沉积LiF薄膜作为电子注入层，厚度为1nm，沉积速率为

第七步，在电子注入层上沉积阴极

采用热蒸发方式，在第六步沉积的电子注入层上沉积铝薄膜作为阴极，厚度100nm，沉积速率为

由此，最终制得上述双P型掺杂层的有机发光二极管，是一种采用双层P型掺杂薄膜增强空穴注入的有机发光二极管。