[发明专利]薄膜晶体管显示面板及其制造方法

摘要

本发明提供一种具有高的电荷迁移率且对于大面积显示器能获得均匀电特性的薄膜晶体管显示面板及其制造方法。TFT显示面板包括：栅电极，形成在绝缘基板上；第一栅绝缘层，由SiNx形成在该栅电极上；第二栅绝缘层，由SiOx形成在该第一栅绝缘层上；氧化物半导体层，形成得交叠该栅电极且具有沟道部分；以及钝化层，由SiOx形成在该氧化物半导体层和该栅电极上，该钝化层包括暴露漏电极的接触孔。该接触孔具有这样的形状，其中横截面积从在该漏电极处的底表面向上增大。

主权项

一种TFT显示面板，包括：栅电极，形成在绝缘基板上；栅线，具有栅焊盘部分，连接到该栅电极，且设置在该绝缘基板上；第一栅绝缘层，形成在该栅电极和该栅线上，且包括硅氮化物SiNx；第二栅绝缘层，由硅氧化物、钛氧化物、锆氧化物、铪氧化物、钽氧化物以及钨氧化物中的至少一种形成在该第一栅绝缘层上；氧化物半导体层，交叠该栅电极且具有沟道部分；源电极和漏电极，在该氧化物半导体层上形成为彼此分隔开；以及第一钝化层，形成在该源电极和该漏电极上且包括硅氧化物SiOx；以及第二钝化层，设置在该第一钝化层上且包括硅氮化物SiNx，其中该第二钝化层、该第一钝化层、该第二栅绝缘层和该第一栅绝缘层具有暴露该栅焊盘部分的第二接触孔，以及该第二接触孔具有横截面积从在该栅焊盘部分处的底表面向上增大的形状，其中该第二钝化层和该第一钝化层具有暴露该漏电极的第一接触孔，该第一接触孔具有横截面积从在该漏电极处的底表面向上增大的形状，以及其中所述第一栅绝缘层和所述第二钝化层的所述第二接触孔具有第一倾斜度，所述第二栅绝缘层和所述第一钝化层的所述第二接触孔具有第二倾斜度，所述第二倾斜度比所述第一倾斜度缓和。