[发明专利]基于氧化物薄膜晶体管阵列制备的复合叠层电极无效
| 申请号： | 201110146555.3 | 申请日： | 2011-06-02 |
| 公开（公告）号： | CN102208453A | 公开（公告）日： | 2011-10-05 |
| 发明（设计）人： | 周帆;林华平;李俊;蒋雪茵;张志林;张晓薇 | 申请（专利权）人： | 上海大学 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/45;H01L21/77;H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海上大专利事务所(普通合伙) 31205 | 代理人： | 顾勇华 |
| 地址： | 200444*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种基于氧化物薄膜晶体管阵列制备的复合叠层电极。本器件依次由源漏电极（1）、氧化物有源层（2）、绝缘层（3）、栅电极（4、5），基板（6）构成。各结构层采用真空蒸发方法和磁控溅射方法制备。本发明氧化物薄膜晶体管结构中，铝/镍（Al/Ni）金属电极为复合叠层电极。采用这种基于氧化物薄膜晶体管阵列制备的复合叠层电极，可实现制备工艺过程中，消除各种化学试剂对电极的影响，使氧化物薄膜晶体管能在阵列制备过程中不受伤害且制备好的阵列在器件性能上不受影响，使得其在电路中实现应用价值成为可能。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 氧化物 薄膜晶体管 阵列 制备 复合 电极 | ||
【主权项】：
一种基于氧化物薄膜晶体管阵列制备的复合叠层电极，其特征在于该电极由源漏电极（1）、氧化物有源层（2）、绝缘层（3）、栅电极（4、5），基板（6）构成。
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