[发明专利]基于氧化物薄膜晶体管阵列制备的复合叠层电极无效
| 申请号： | 201110146555.3 | 申请日： | 2011-06-02 |
| 公开（公告）号： | CN102208453A | 公开（公告）日： | 2011-10-05 |
| 发明（设计）人： | 周帆;林华平;李俊;蒋雪茵;张志林;张晓薇 | 申请（专利权）人： | 上海大学 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/45;H01L21/77;H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海上大专利事务所(普通合伙) 31205 | 代理人： | 顾勇华 |
| 地址： | 200444*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 基于 氧化物 薄膜晶体管 阵列 制备 复合 电极 | ||
1.一种基于氧化物薄膜晶体管阵列制备的复合叠层电极，其特征在于该电极由源漏电极（1）、氧化物有源层（2）、绝缘层（3）、栅电极（4、5），基板（6）构成。
2.根据权利要求1所述的基于氧化物薄膜晶体管阵列制备的复合叠层电极，其特征在于：源漏电极(1)为铝/镍金属电极为复合叠层电极。
3.根据权利要求1所述的基于氧化物薄膜晶体管阵列制备的复合叠层电极，其特征在于：基板（6）材料为硅片、玻璃或者陶瓷中任一种。
4.根据权利要求1所述的基于氧化物薄膜晶体管阵列制备的复合叠层电极，其特征在于其结构层分别采用下述方法依次逐层制备，各结构层制备方法如下：
1）通过溅射工艺形成一层ITO和金属Mo作为栅电极；
2）采用磁控溅射Si把生成二氧化硅作为电介质绝缘层；
3）采用磁控溅射方法制备氧化物有源层；
4）采用真空蒸发或溅射技术制备源漏电极Al/Ni。
5.根据权利要求1所述的基于氧化物薄膜晶体管阵列制备的复合叠层电极，其特征在于所述的栅极材料（4、5）选用ITO、Mo。
6.根据权利要求1所述的基于氧化物薄膜晶体管阵列制备的复合叠层电极，其特征在于所述的氧化物有源层（2）通过磁控溅射或蒸发形成ZnO、InGaZnO中的一种或多种材料制备的薄膜。
7.根据权利要求1所述的基于氧化物薄膜晶体管阵列制备的复合叠层电极，其特征在于所述的绝缘层（3）通过溅射或蒸发形成Ta2O5、Al2O3、SiO2、TiO2和SiN1~1.5中的一种或多种材料制备的薄膜。
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