[发明专利]LED芯片的P型GaN层的制备方法有效
| 申请号： | 201110129769.X | 申请日： | 2011-05-18 |
| 公开（公告）号： | CN102227008A | 公开（公告）日： | 2011-10-26 |
| 发明（设计）人： | 徐迪;梁智勇;苗振林 | 申请（专利权）人： | 湘能华磊光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;C23C16/34 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 吴贵明 |
| 地址： | 423038 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种LED芯片的P型GaN层的制备方法，包括：步骤a)向MOCVD反应室里，通入H2，对反应室进行降压，并加热衬底；步骤b)降低反应室的温度，并加入NH3和TMGa，在上述衬底上生长缓冲层；步骤c)升高反应室的温度，并加入NH3和TMGa，在上述缓冲层上生长uGaN层；以及步骤d)在上述uGaN层上生长掺杂P型GaN层，其中，步骤d)包括在所述uGaN层上执行的以下处理：步骤d1)生长掺铟和镁的P型GaN层；以及步骤d2)从上述掺铟和镁的P型GaN层析出铟，形成掺镁P型GaN层。采用根据本发明的LED芯片的P型GaN层的制备方法，可制得P型GaN层的空穴浓度高的LED芯片。 | ||
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【主权项】：
一种LED芯片的P型GaN层的制备方法，包括：步骤a)向MOCVD反应室里，通入H2，对所述反应室进行降压，并加热衬底；步骤b)降低所述反应室的温度，并加入NH3和TMGa，在衬底上生长缓冲层；步骤c)升高所述反应室的温度，并加入NH3和TMGa，在所述缓冲层上生长uGaN层；以及步骤d)在所述uGaN层上生长掺杂P型GaN层，其特征在于，步骤d)包括在所述uGaN层上执行的以下处理：步骤d1)生长掺In和Mg的P型GaN层；以及步骤d2)从所述掺In和Mg的P型GaN层析出In，形成掺Mg的P型GaN层。
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