[发明专利]LED芯片的P型GaN层的制备方法

权利要求书

1.一种LED芯片的P型GaN层的制备方法，包括：

步骤a)向MOCVD反应室里，通入H₂，对所述反应室进行降压，并加热衬底；

步骤b)降低所述反应室的温度，并加入NH₃和TMGa，在衬底上生长缓冲层；

步骤c)升高所述反应室的温度，并加入NH₃和TMGa，在所述缓冲层上生长uGaN层；以及

步骤d)在所述uGaN层上生长掺杂P型GaN层，

其特征在于，步骤d)包括在所述uGaN层上执行的以下处理：

步骤d1)生长掺In和Mg的P型GaN层；以及

步骤d2)从所述掺In和Mg的P型GaN层析出In，形成掺Mg的P型GaN层。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，重复多次所述步骤d1)和d2)。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，重复10～100次所述步骤d1)和d2)。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在步骤a)中将所述反应室压力降至100～200mbar，将所述衬底加热到1000℃～1100℃，保持5min～10min。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在步骤b)中将温度降至480℃～550℃，在H₂气氛下，在所述衬底上生长缓冲层。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在步骤c)中将温度升高到1000～1100℃，生长不掺杂uGaN层。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在步骤d1)中将温度降到720～820℃，将N₂作为载气在uGaN层上生长掺In和Mg的P型GaN层，其中In的摩尔组分含量大于0％且小于20％。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在步骤d2)中将H₂作为载气，将温度升高到820～1020℃，保持4min～10min。