[发明专利]发光二极管封装结构无效
申请号: | 201110122980.9 | 申请日: | 2011-05-12 |
公开(公告)号: | CN102683547A | 公开(公告)日: | 2012-09-19 |
发明(设计)人: | 蔡培崧;林子朴;傅思维 | 申请(专利权)人: | 隆达电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L33/48 | 分类号: | H01L33/48;H01L33/60;H01L33/46 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 臧建明 |
地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明提供一种发光二极管封装结构,包括:一基底;一发光二极管芯片(LED chip),形成于基底之上;一复合镀层,形成于发光二极管芯片之上,其中复合镀层包括一第一镀层与一第二镀层,且该复合镀层于约500-800nm的波长范围内具有大于95%的反射率;一杯壳主体(cup body),形成于该基底之上且环绕该发光二极管芯片;以及一封装层,覆盖发光二极管芯片,其中封装层包括一波长转换物质。本发明能减少或避免光捕捉效应,提高发光二极管的发光效率。 | ||
搜索关键词: | 发光二极管 封装 结构 | ||
【主权项】:
一种发光二极管封装结构,包括:一基底;一发光二极管芯片,形成于该基底之上;一复合镀层,形成于该发光二极管芯片之上,其中该复合镀层包括一第一镀层与一第二镀层,且该复合镀层于500‑800nm的波长范围内具有大于95%的反射率;一杯壳主体,形成于该基底之上,其中该杯壳主体环绕该发光二极管芯片;以及一封装层,覆盖于该发光二极管芯片之上,其中该封装层包括一波长转换物质。
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