[发明专利]半导体氧化设备和制造半导体元件的方法

摘要

一种半导体氧化设备，其配有：由室壁界定的可密封氧化室；设置于氧化室内，并用来支撑半导体样品的基座；用于向所述氧化室供应对所述半导体样品的特定部分进行氧化的水蒸汽的供应部分；监测窗，其设置于所述氧化室的室壁之一内，并且设置于能够面对支撑于所述基座上的所述半导体样品的位置处；监测部分，其设置于所述氧化室之外，并且能够经由所述监测窗面对支撑于所述基座上的半导体样品；以及调整所述基座和所述监测部分之间的距离的调整部分。

主权项

一种通过将半导体样品置于水蒸汽气氛中而制造半导体元件的方法，所述半导体样品包括具有含有Al和As的半导体层的台座，并且在所述半导体层内形成了电流限制部分和被所述电流限制部分包围的电流注入部分，其形成方式为，从所述半导体层显露于所述台座的外部边缘侧面处的外周端向内沿径向氧化所述半导体层，从而保持所述半导体层的中央部分未被氧化，所述方法包括的步骤有：(a)在所述半导体层的氧化过程中至少中断所述氧化过程一次；以及(b)在所述氧化过程中断期间监测所述半导体层的氧化速率。