[发明专利]磁阻传感器及其制造方法有效
| 申请号： | 201110090236.5 | 申请日： | 2011-04-11 |
| 公开（公告）号： | CN102645675A | 公开（公告）日： | 2012-08-22 |
| 发明（设计）人： | 傅乃中;刘富台 | 申请（专利权）人： | 宇能电科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G01V3/40 | 分类号： | G01V3/40;H01L43/08;H01L43/12 |
| 代理公司： | 上海波拓知识产权代理有限公司 31264 | 代理人： | 杨波 |
| 地址： | 中国台湾新竹县*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提出一种磁阻传感器及其制造方法，该方法包括提供基板，在基板的绝缘层上形成多层（相连接）或单层导体构造，是谓下层导体，再形成磁阻构造，磁阻构造具有彼此相对的第一表面和第二表面，第二表面朝向基板与下层导体相接，并可再在磁阻构造的第一表面上形成第一绝缘层，在第一绝缘层中形成第一凹槽，以及在第一凹槽中形成第一导线构造与第一表面相接，以此并可接续形成多层相连接上层导体，而上下层导体其延伸方向与磁阻构造的延伸方向间呈第一角度，第一角度大于等于0度小于等于90度，并用以与磁阻构造电性连接。采用这种方法制造的磁阻传感器具有较高的灵敏度来感测外界磁场变化的讯号。 | ||
| 搜索关键词： | 磁阻 传感器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种磁阻传感器，其特征在于：所述磁阻传感器包括基板、第一绝缘层、第一导线构造以及磁阻构造，所述第一绝缘层位于所述基板上方，所述第一导线构造配置在所述第一绝缘层内，所述第一导线构造具有彼此相对的第一表面和第二表面，所述第一表面朝向所述基板，所述磁阻构造配置在所述第一绝缘层表面上，朝向所述第一导线构造的所述第二表面，其延伸方向与所述第一导线构造的延伸方向间呈第一角度，所述第一角度大于等于0度小于等于90度，并且所述磁阻构造与所述第一导线构造电性连接。
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