[发明专利]磁阻传感器及其制造方法

说明书

技术领域

本发明是有关于一种磁阻传感器及其制造方法，且特别是有关于一种灵敏度较高的磁阻传感器及其制造方法。

背景技术

磁阻传感器可应用于电子罗盘（又称数字指南针）中，用以精细侦测地球磁场的变化，而这类磁阻传感器大多需设有“斜条状”导体（barber pole）或其它形状构造的导体，这种导体具有改变原有磁阻内电流方向，并藉以增加磁阻传感器灵敏度的作用。图1为现有磁阻传感器的剖面示意图，主要包含有绝缘基板102、磁阻构造104以及导线构造106等。其中，磁阻构造104包含有磁阻层112和硬屏蔽层114，硬屏蔽层114配置在磁阻层112上。而磁阻构造104配置在绝缘基板102上，在磁阻构造104上形成金属层，蚀刻金属层形成导线构造106。除此之外，图2为图1所示磁阻传感器的俯视图，参照图中可看出，导线构造106其延伸方向与磁阻构造的延伸方向间约呈45度角，并与磁阻构造104电性连接而形成“斜条状”导体。在现有制程中，因先在绝缘基板102上形成磁阻构造104，再在其上形成导线结构，因此现有需要硬屏蔽层114来抵挡定义导线结构时进行的蚀刻，所以其厚度较厚，易使磁阻传感器的灵敏度降低。

发明内容

有鉴于此，本发明的目的就是在提供一种磁阻传感器，其具有较高的灵敏度来感测外界磁场变化的讯号。

本发明的另一目的是提供一种磁阻传感器的制造方法，以同时提高磁阻传感器感测外界磁场变化讯号的灵敏度。

为达到上述优点，本发明提出一种磁阻传感器，其结构特色可分为二，其一:导体构造及制造程序在磁阻构造之前，其二: 导体构造及制造程序在磁阻构造之后，另有两者之组合，即磁阻构造在两导体构造之间。

导体构造及制造程序在磁阻构造之前:

本发明提出一种磁阻传感器，包括基板、第一绝缘层、第一导线构造、磁阻构造。其中，第一绝缘层位于基板上方，第一导线构造配置在第一绝缘层内，第一导线构造具有彼此相对的第一表面和第二表面，第一表面朝向基板，磁阻构造配置在第一绝缘层表面上，朝向第一导线构造的第二表面，其延伸方向与第一导线构造的延伸方向间呈第一角度，第一角度大于等于0度小于等于90度，并与第一导线构造电性连接。

本发明提出一种磁阻传感器，包括基板、第一绝缘层、第一导线构造、磁阻构造以及第一通孔导体或沟槽导体结构。其中，第一绝缘层位于基板上方，第一导线构造配置在第一绝缘层内，第一导线构造具有彼此相对的第一表面和第二表面，第一表面朝向基板，磁阻构造配置在第一绝缘层表面上，朝向第一导线构造的第二表面，其延伸方向与第一导线构造的延伸方向间呈第一角度，第一角度大于等于0度小于等于90度，并与第一导线构造电性连接，第一通孔导体或沟槽导体结构配置在第一绝缘层中，用以电性连接磁阻构造和第一导线构造。

在本发明的一个实施例中，上述两项磁阻传感器还包括第二绝缘层以及第二导线构造。其中，第二绝缘层位于基板与第一导线构造的第一表面之间，第二导线构造位于第二绝缘层内，其延伸方向与磁阻构造的延伸方向间呈第二角度，第二角度大于等于0度小于等于90度，并用以与第一导线构造电性连接。

在本发明的一个实施例中，上述磁阻传感器还包括第二通孔导体或沟槽导体结构并位于第二绝缘层内，位于第一导线构造的第一表面与第二导线构造之间，并用以第一导线构造与第二导线构造电性连接。

在本发明的一个实施例中，上述磁阻构造包括磁阻层以及硬屏蔽层。其中，磁阻层配置在第一导线构造的第二表面上，磁阻层包括异向性磁阻（Anisotropic Magnetoresistance，简称AMR）、巨磁阻（Giant Magnetoresistance，简称GMR）以及穿隧式磁阻（Tunneling Magnetoresistance，简称TMR）或其组合中之一，以及硬屏蔽层配置于在磁阻层表面上。

导体构造及制造程序在磁阻构造之后:

本发明提出一种磁阻传感器，包括基板、磁阻构造、第一绝缘层、第一导线构造以及第一通孔导体或沟槽导体结构。其中，磁阻构造配置在基板上，磁阻构造具有彼此相对的第一表面和第二表面，第一表面朝向基板，第一绝缘层位于磁阻构造的第二表面上，第一导线构造配置在第一绝缘层内，其延伸方向与磁阻构造的延伸方向间呈第一角度，第一角度大于等于0度小于等于90度，并用以第一通孔导体或沟槽导体结构与磁阻构造电性连接。