[发明专利]磁阻传感器及其制造方法

权利要求书

1.一种磁阻传感器，其特征在于：所述磁阻传感器包括基板、第一绝缘层、第一导线构造以及磁阻构造，所述第一绝缘层位于所述基板上方，所述第一导线构造配置在所述第一绝缘层内，所述第一导线构造具有彼此相对的第一表面和第二表面，所述第一表面朝向所述基板，所述磁阻构造配置在所述第一绝缘层表面上，朝向所述第一导线构造的所述第二表面，其延伸方向与所述第一导线构造的延伸方向间呈第一角度，所述第一角度大于等于0度小于等于90度，并且所述磁阻构造与所述第一导线构造电性连接。

2.根据权利要求1所述的磁阻传感器，其特征在于：所述第一绝缘层中包括第一通孔导体或沟槽导体结构，所述第一通孔导体或沟槽导体结构电性连接所述磁阻构造和所述第一导线构造。

3.根据权利要求2所述的磁阻传感器，其特征在于：所述磁阻传感器还包括第二绝缘层和第二导线构造，所述第二绝缘层位于所述基板与所述第一导线构造的所述第一表面之间，所述第二导线构造位于所述第二绝缘层内，其延伸方向与所述磁阻构造的延伸方向间呈第二角度，所述第二角度大于等于0度小于等于90度，并且所述第二导线构造与所述第一导线构造电性连接。

4.根据权利要求3所述的磁阻传感器，其特征在于：所述第二绝缘层中还包括第二通孔导体或沟槽导体结构，所述第二通孔导体或沟槽导体结构电性连接所述第一导线构造和所述第二导线构造。

5.根据权利要求4所述的磁阻传感器，其特征在于：所述第一导线构造、第二导线构造、第一通孔导体或沟槽导体结构与第二通孔导体或沟槽导体结构的材质为铝、钨、铜等导体或其组合中之一，而所述第一绝缘层与第二绝缘层为氧化硅层或氮化硅层等。

6.根据权利要求1所述的磁阻传感器，其特征在于：所述磁阻构造包括磁阻层和硬屏蔽层，所述磁阻层配置在所述第一导线构造的所述第二表面上，所述磁阻层包括异向性磁阻、巨磁阻以及穿隧式磁阻或其组合中之一，所述硬屏蔽层配置在所述磁阻层表面上。

7.一种磁阻传感器，其特征在于：所述磁阻传感器包括基板、磁阻构造、第一绝缘层、第一导线构造以及第一通孔导体或沟槽导体结构，所述磁阻构造配置在所述基板上，所述磁阻构造具有彼此相对的第一表面和第二表面，所述第一表面朝向所述基板，所述第一绝缘层位于所述磁阻构造的所述第二表面上，所述第一导线构造配置在所述第一绝缘层内，其延伸方向与所述磁阻构造的延伸方向间呈第一角度，所述第一角度大于等于0度小于等于90度，所述第一通孔导体或沟槽导体结构配置在所述第一绝缘层中，电性连接所述磁阻构造和所述第一导线构造。

8.根据权利要求7所述的磁阻传感器，其特征在于：所述磁阻传感器还包括第二绝缘层和第二导线构造，所述第二绝缘层配置在所述第一绝缘层与所述第一导线构造表面上，所述第二导线构造位于所述第二绝缘层内，其延伸方向与所述磁阻构造的延伸方向间呈第二角度，所述第二角度大于等于0度小于等于90度，并且所述第二导线构造与所述第一导线构造电性连接。

9.根据权利要求8所述的磁阻传感器，其特征在于：所述第二绝缘层中还包括第二通孔导体或沟槽导体结构，所述第二通孔导体或沟槽导体结构电性连接所述第一导线构造和所述第二导线构造。

10.根据权利要求9所述的磁阻传感器，其特征在于：所述第一导线构造、第二导线构造、第一通孔导体或沟槽导体结构与第二通孔导体或沟槽导体结构的材质为铝、钨、铜等导体或其组合中之一，而所述第一绝缘层与所述第二绝缘层为氧化硅层或氮化硅层等。

11.根据权利要求7所述的磁阻传感器，其特征在于：所述磁阻构造包括磁阻层和硬屏蔽层，所述磁阻层配置在所述基板上，所述磁阻层包括异向性磁阻、巨磁阻以及穿隧式磁阻或其组合其中之一，所述硬屏蔽层配置在所述磁阻层表面上。