[发明专利]半导体发光器件制造过程中SiO2层的表面处理方法有效
| 申请号： | 201110084922.1 | 申请日： | 2011-04-06 |
| 公开（公告）号： | CN102185045A | 公开（公告）日： | 2011-09-14 |
| 发明（设计）人： | 黄涛;张娟 | 申请（专利权）人： | 晶能光电(江西)有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 330029 江西*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体发光器件制造过程中SiO2层的表面处理方法，涉及一种半导体发光器件的制造方法，用于解决SiO2层表面的光刻胶在后续加工工序中因高温发生严重形变的问题。其包括以下步骤：在待加工的晶片上生长SiO2层；用等离子载氮气体处理SiO2层的表面，使SiO2表面氮化；在经过氮化处理的SiO2表面上涂掩膜胶。本发明可以提高产品品质，以及节省时间，提高生产效率，节约了粘胶剂。本发明可以用于作为掩膜用的SiO2去边工艺、蓝宝石表面钝化处理工艺等一系列SiO2表面光刻处理工艺。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 发光 器件 制造 过程 sio2 表面 处理 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体发光器件制造过程中SiO2层的表面处理方法,包括以下步骤：在待加工的晶片上生长SiO2层；用等离子载氮气体处理SiO2层的表面，使SiO2表面氮化；在经过氮化处理的SiO2表面上涂掩膜胶。
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