[发明专利]一种压电厚膜驱动的横向MEMS微驱动器及其制作方法无效
| 申请号： | 201110083195.7 | 申请日： | 2011-04-02 |
| 公开（公告）号： | CN102176506A | 公开（公告）日： | 2011-09-07 |
| 发明（设计）人： | 赵全亮;何广平;谭晓兰;黄昔光;袁俊杰;曹茂盛 | 申请（专利权）人： | 北方工业大学 |
| 主分类号： | H01L41/09 | 分类号： | H01L41/09;H01L41/22;B81B3/00;B81C1/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100144 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种压电厚膜驱动的横向MEMS微驱动器及其制作方法，属于智能材料与结构技术领域。该微驱动器包括由衬底形成的“T”形截面悬臂梁和两个PZT压电厚膜驱动层；两个压电厚膜驱动层位于“T”形截面悬臂梁的上表面并呈对称分布，其中PZT压电厚膜驱动层的厚度大于1μm。本发明的微驱动器结构简单，无额外运动转换机构，易于高压电性能PZT厚膜的集成；采用体硅加工工艺制作，结构释放难度小，制作可靠性高；压电式横向MEMS微驱动器的所有制作工艺与MEMS工艺兼容，具有集成化、批量化制造的潜力，可广泛用于微纳操纵、微纳机械运动行走、电磁信号/微纳流体的开关/截止阀、振动式传感器等领域。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 压电 驱动 横向 mems 驱动器 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种压电厚膜驱动的横向MEMS微驱动器，其特征在于：包括由衬底形成的“T”形截面悬臂梁和两个PZT压电厚膜驱动层；两个压电厚膜驱动层位于“T”形截面悬臂梁的上表面并呈对称分布，其中PZT压电厚膜驱动层的厚度大于1μm。
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