[发明专利]半导体外延结构有效
| 申请号： | 201110076893.4 | 申请日： | 2011-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN102723406B | 公开（公告）日： | 2017-07-07 |
| 发明（设计）人： | 魏洋;范守善 | 申请（专利权）人： | 清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100084 北京市海淀区清*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体外延结构，其包括一基底，该基底具有一外延生长面；以及一掺杂的半导体外延层形成于所述基底的外延生长面，其中，进一步包括一碳纳米管层设置于所述掺杂的半导体外延层与基底之间。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 外延 结构 | ||
【主权项】：
一种半导体外延结构，其包括：一基底，该基底具有一外延生长面；一碳纳米管层设置在所述基底的外延生长面；一N型GaN外延层覆盖所述碳纳米管层设置；一有源层设置在所述N型GaN外延层的表面；以及一P型GaN外延层设置在所述有源层的表面，所述有源层设置于所述N型GaN外延层和所述P型GaN外延层之间，其特征在于，所述N型GaN外延层在与所述基底接触的表面形成多个孔洞，所述碳纳米管层设置于该孔洞内，所述碳纳米管层包括多个碳纳米管，该多个碳纳米管与所述N型GaN外延层间隔设置，且该多个碳纳米管不与所述N型GaN外延层接触。
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