[发明专利]有机薄膜晶体管及其制造方法

摘要

本发明公开了一种有机薄膜晶体管及其制造方法，涉及有机半导体器件领域，解决了现有有机薄膜晶体管中存在较大回滞现象，从而影响有机薄膜晶体管稳定性的问题。本发明提供的有机薄膜晶体管中，由于在有机半导体层与采用含羟基聚合物的第一绝缘层之间形成了第二绝缘层，且该第二绝缘层由不含羟基的聚合物制成，因此能防止第二绝缘层上与有机半导体层的界面处产生陷阱，从而减小了有机薄膜晶体管的回滞现象，降低了有机薄膜晶体管的阈值电压，进而改善了有机薄膜晶体管的工作稳定性。本发明可用于全有机主动显示装置、大规模和超大规模集成电路、记忆组件、传感器、有机激光器、互补逻辑电路和超导装置中。

主权项

一种有机薄膜晶体管，包括：栅电极、有机半导体层及形成在所述栅电极与所述有机半导体层之间的采用含羟基聚合物的第一绝缘层，其特征在于，在所述第一绝缘层与所述有机半导体层之间还形成有第二绝缘层，所述第二绝缘层由不含羟基的聚合物制成。