[发明专利]有机薄膜晶体管及其制造方法

权利要求书

1.一种有机薄膜晶体管，包括：栅电极、有机半导体层及形成在所述栅电极与所述有机半导体层之间的采用含羟基聚合物的第一绝缘层，其特征在于，在所述第一绝缘层与所述有机半导体层之间还形成有第二绝缘层，所述第二绝缘层由不含羟基的聚合物制成。

2.根据权利要求1所述的有机薄膜晶体管，其特征在于，所述栅电极形成在基板之上，所述第一绝缘层形成在设有所述栅电极的所述基板之上，所述第二绝缘层形成在所述第一绝缘层之上，还包括源电极与漏电极，

所述源电极与漏电极形成在所述第二绝缘层之上，所述有机半导体层形成在设有所述源电极与漏电极的所述第二绝缘层之上，且所述有机半导体层的沟道部分与所述第二绝缘层接触；或者，

所述有机半导体层形成在所述第二绝缘层之上，所述源电极与漏电极形成在所述有机半导体层上方。

3.根据权利要求1所述的有机薄膜晶体管，其特征在于，还包括源电极与漏电极；

基板上依次形成有所述源电极与漏电极、有机半导体层、第二绝缘层、第一绝缘层和栅电极；或者

基板上依次形成有所述有机半导体层、源电极与漏电极、第二绝缘层、第一绝缘层和栅电极。

4.根据权利要求1～3任一项所述的有机薄膜晶体管，其特征在于，所述第一绝缘层的材料包括聚乙烯苯酚。

5.根据权利要求1～3任一项所述的有机薄膜晶体管，其特征在于，所述第二绝缘层的材料包括聚偏氟乙烯。

6.根据权利要求1～3任一项所述的有机薄膜晶体管，其特征在于，所述有机半导体层的材料包括酞菁氧钒。

7.一种有机薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，包括：

(1)在制造有机薄膜晶体管的过程中，在有机半导体层与采用含羟基聚合物的第一绝缘层之间形成第二绝缘层，所述第二绝缘层由不含羟基的聚合物制成。

8.根据权利要求7所述的有机薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，所述(1)包括：

在基板上形成图案化栅电极；

在包含所述图案化栅电极的所述基板上形成所述第一绝缘层；

在所述第一绝缘层上形成所述第二绝缘层；

在所述第二绝缘层上形成所述有机半导体层。

9.根据权利要求8所述的有机薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，在形成所述第二绝缘层之后及形成所述有机半导体层之前，还包括：在所述第二绝缘层上形成图案化的源电极及漏电极；

所述在所述第二绝缘层上形成有机半导体层包括：在形成有所述源电极及漏电极的所述第二绝缘层上形成有机半导体层。

10.根据权利要求8所述的有机薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，还包括：在所述有机半导体层上形成图案化的源电极及漏电极。

11.根据权利要求7所述的有机薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，所述(1)包括：

在基板上形成所述有机半导体层；

在所述有机半导体层上形成所述第二绝缘层；

在所述第二绝缘层上形成所述第一绝缘层；

在所述第一绝缘层上形成图案化栅电极。

12.根据权利要求11所述的有机薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，在形成所述有机半导体层之前，还包括：在所述基板上形成图案化的源电极及漏电极；

所述在基板上形成所述有机半导体层包括：在包含所述图案化的源电极及漏电极的基板上形成所述有机半导体层。

13.根据权利要求11所述的制造方法，其特征在于，在形成所述有机半导体层之后及形成所述第二绝缘层之前，还包括：在所述有机半导体层上形成图案化的源电极及漏电极；

所述在所述有机半导体层上形成所述第二绝缘层包括：在包含所述图案化的源电极及漏电极的有机半导体层上形成所述第二绝缘层。

14.根据权利要求7～13任一项所述的有机薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，形成所述第一绝缘层及第二绝缘层的方法包括溶液法。

15.根据权利要求7～13任一项所述的有机薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，形成所述图案化栅电极的方法包括：

对利用射频磁控溅射方法形成的钼层进行光刻，以形成所述图案化栅电极。

16.根据权利要求7～13任一项所述的有机薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，形成所述有机半导体层的方法包括真空蒸发法。