[发明专利]半预充动态电路

摘要

本发明公开了一种半预充动态电路，包括：第一预充管Mp1、下拉逻辑网络PDN、保持管Mk、Mf、输出反相器和比较器，传输管Mg，第一预充管Mp1的漏端连接Mk的漏端形成动态节点DYN，PDN的一端连接DYN，另一端连接Mf的漏端，比较器的负输入端连接DYN，Mk的栅极连接比较器的输出端，Mp1和Mf的栅极均连接脉冲CLK，在输出反相器和DYN之间增加一NMOS传输管Mg和第二预充管Mp2，通过传输管Mg的连接DYN和输出反相器的输入端，Mp2的漏端连接传输管Mg，Mp2和Mg的栅极均连接脉冲CLK。本发明在保证抗噪前提下，消除了输出反相器的直流功耗；并实现了真正的“半预充”，并避免由电源VDD到电源VDD/2的直流通路。

主权项

一种半预充动态电路，包括：第一预充管Mp1、下拉逻辑网络PDN、保持管Mk，NMOS管Mf，输出反相器和比较器，所述第一预充管Mp1的漏端连接Mk的漏端形成动态节点DYN，所述PDN的一端连接所述DYN，另一端连接所述Mf的漏端，所述比较器的负输入端连接DYN，Mk的栅极连接所述比较器的输出端，所述Mp1和Mf的栅极均连接脉冲CLK，其特征在于，在所述输出反相器和DYN之间增加一NMOS传输管Mg和第二预充管Mp2，所述传输管Mg连接DYN和所述输出反相器的输入端，所述Mp2的漏端连接所述传输管Mg，所述Mp2和Mg的栅极均连接脉冲CLK，所述Mp1、Mp2和Mk均为PMOS管。