[发明专利]发光器件、用于制造发光器件的方法以及发光器件封装有效
| 申请号： | 201110062218.6 | 申请日： | 2011-03-11 |
| 公开（公告）号： | CN102214758A | 公开（公告）日： | 2011-10-12 |
| 发明（设计）人： | 裵贞赫;郑炳学;朴径旭;金青松 | 申请（专利权）人： | LG伊诺特有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/32 | 分类号： | H01L33/32;H01L33/04;H01L33/36;H01L25/075;H01L33/48;H01L33/62 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 陆弋;王伟 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供一种发光器件、用于制造发光器件的方法以及发光器件封装。该发光器件包括：发光结构，该发光结构包括第一导电型半导体层、在第一导电型半导体层下方的有源层、以及在有源层下方的第二导电型半导体层；导电支撑构件；以及在发光结构上的保护构件。该发光结构具有第一宽度和第二宽度。该第一宽度和第二宽度之差形成了阶状结构或倾斜结构。保护构件布置在由发光结构的第一宽度和第二宽度之差形成的阶状结构或倾斜结构上。 | ||
| 搜索关键词： | 发光 器件 用于 制造 方法 以及 封装 | ||
【主权项】：
一种发光器件，包括：导电支撑构件；发光结构，所述发光结构位于所述导电支撑构件上，所述发光结构包括：第一导电型半导体层、在所述第一导电型半导体层下方的有源层、以及在所述有源层下方的第二导电型半导体层；以及保护构件，所述保护构件围绕所述发光结构的一部分，其中，所述发光结构具有第一顶表面和第二顶表面，所述第二顶表面位于所述第一顶表面下方，所述第一顶表面和所述第二顶表面形成了阶状结构，并且所述保护构件布置在所述发光结构的第二顶表面上。
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