[发明专利]发光器件、用于制造发光器件的方法以及发光器件封装

权利要求书

1.一种发光器件，包括：

导电支撑构件；

发光结构，所述发光结构位于所述导电支撑构件上，所述发光结构包括：第一导电型半导体层、在所述第一导电型半导体层下方的有源层、以及在所述有源层下方的第二导电型半导体层；以及

保护构件，所述保护构件围绕所述发光结构的一部分，

其中，所述发光结构具有第一顶表面和第二顶表面，所述第二顶表面位于所述第一顶表面下方，所述第一顶表面和所述第二顶表面形成了阶状结构，并且所述保护构件布置在所述发光结构的第二顶表面上。

2.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述第一导电型半导体层包括围绕所述发光结构的阶状结构。

3.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述第一导电型半导体层、所述有源层以及所述第二导电型半导体层具有与所述第一顶表面的宽度相同的宽度，并且所述阶状结构布置在所述第二导电型半导体层周围。

4.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述第一导电型半导体层的顶表面与所述保护构件的顶表面齐平。

5.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述保护构件由至少一种透光材料形成，该透光材料选自由以下项组成的组：SiO₂、Si_xO_y、Si₃N₄、Si_xN_y、SiO_xN_y以及Al₂O₃，

其中，所述透光材料的折射率小于所述发光结构的半导体材料的折射率。

6.根据权利要求2所述的发光器件，其中，在所述第一导电型半导体层中，所述第二顶表面布置得更靠近所述有源层。

7.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述保护构件包括在其周围的倾斜结构或阶状结构。

8.根据权利要求7所述的发光器件，其中，所述保护构件具有围绕所述发光结构的多边形框架形状、连续回路形状或环形形状。

9.根据权利要求1所述的发光器件，还包括：在所述第一导电型半导体层上的第一电极；以及，在所述第二导电型半导体层和所述导电支撑构件之间的如下层中的至少一个层：欧姆层、反射层以及粘附层。

10.根据权利要求9所述的发光器件，还包括具有导电型掺杂物的III-V族化合物半导体层，所述III-V族化合物半导体层位于所述第一电极、所述第一导电型半导体层以及所述保护构件之间。

11.一种发光器件封装，包括：

发光器件；

主体，所述发光器件安装在所述主体上；

第一电极和第二电极，所述第一电极和所述第二电极布置在所述主体上，所述第一电极和所述第二电极电连接到所述发光器件；以及

成型构件，所述成型构件包围所述发光器件，

其中，所述发光器件是根据权利要求1至10中的任一项所述的发光器件。

12.一种用于制造发光器件的方法，所述方法包括：

在衬底上形成基础半导体层；

在所述基础半导体层中形成蚀刻凹部，所述蚀刻凹部以大于第二宽度的距离相互间隔开；

在所述基础半导体层上沿着所述蚀刻凹部形成保护构件，所述保护构件以第一宽度的距离相互间隔开；

在所述基础半导体层和所述保护构件上形成发光结构；

形成反射层和导电支撑构件中的至少一个；以及

在形成所述发光结构、所述反射层和所述导电支撑构件中的一个之后，移除所述衬底。

13.根据权利要求12所述的方法，其中，所述蚀刻凹部穿过所述基础半导体层而暴露所述衬底，并且在所述蚀刻凹部中形成掩膜构件。

14.根据权利要求13所述的方法，其中，所述掩膜构件的下端布置在所述衬底的顶表面下方。

15.根据权利要求12所述的方法，还包括：执行裂片工艺，以便以所述第二宽度的距离来分割所述发光结构，所述第二宽度的距离大于所述第一宽度的距离。