[发明专利]裸芯片的晶圆参数的测试方法

摘要

本发明公开了一种晶圆中裸芯片的中测方法，采用六针探针卡压接在相邻近的两个裸芯片的正面进行测试；其测试步骤如下：T1，测试出裸芯片中的栅源控制电流IGSS；T2，将第二裸芯片的第二栅极电压UG2加入与第一裸芯片的栅极供电电源UG1相同的电压，通过R1＝UG1/IGSS，计算两个裸芯片串联后的第一电阻R1；T3，将R1除以2，得到两个裸芯片的漏源开启电阻参数RDSON；T4，多次改变第二裸芯片的第二栅极电压的电压，通过R2＝UG2/IGSS，计算出两个裸芯片串联后的第二电阻R2；T5，通过RDSON＝R2-1/2R1，计算出第二裸芯片的RDSON参数。本发明晶圆中裸芯片的中测方法，仅需要对晶圆的正面进行单面测试，便可测试出晶圆中裸芯片测试项目，从而判断裸芯片的为合格品或者不合格品。

主权项

一种裸芯片的晶圆参数的测试方法，其特征在于：采用八根探针的探针卡(4)压接在相邻近的两个裸芯片的正面进行测试；其中二根探针的一端压接在第二裸芯片(2)的三极管的源极测试点，另外一端通过探针卡(4)与测试机台的接口(5)电连接；其中二根探针的一端压接在第二裸芯片(2)的三极管的栅极测试点，其栅极测试点的供电电压为第二栅极控制电压UG2，另外一端通过探针卡(4)与测试机台的接口(5)电连接；其中二根探针的一端压接在第一裸芯片(1)的三极管的源极测试点，另一端通过探针卡(4)与测试机台的接口(5)电连接；其中二根探针通过探针卡(4)上安装的电池E串接后，压接在第一裸芯片(1)的三极管的栅极测试点，其栅极测试点的供电电压为第一栅极控制电压UG1；其测试步骤如下：T1，测试出晶圆中第一裸芯片(1)和第二裸芯片(2)的三极管的饱和漏极电流IDSS、以及除三极管的漏源开启电阻RDSON之外的参数；T2，在第一裸芯片(1)和第二裸芯片(2)的三极管的栅极端加入相同的栅极控制电压、漏极端加入步骤T1中的饱和漏极电流IDSS，测试出第二裸芯片(2)的三极管的源漏电压UDS，通过公式R1＝UDS/IDSS，计算出相同栅极控制电压下第一裸芯片(1)和第二裸芯片(2)串联后的第一电阻R1；T3，将步骤T2中的第一电阻R1除以2，得到第二裸芯片(2)的三极管的漏源开启电阻参数RDSON；T4，保持第一裸芯片(1)的三极管的栅极端的第一栅极控制电压UG1的电压值，改变第二裸芯片(2)的三极管的栅极端的第二栅极控制电压UG2的电压值，在第二裸芯片(2)的三极管的漏极端加入步骤T1中的饱和漏极电流IDSS，测试出第二裸芯片(2)的三极管的源漏电压UDS2，通过公式R2＝UDS2/IDSS，计算出不同栅极控制电压下第一裸芯片(1)和第二裸芯片(2)串联后的第二电阻R2；通过公式RDSON＝R2‑1/2R1，计算出第二裸芯片(2)的三极管在第二栅极控制电压UG2下的漏源开启电阻参数RDSON；T5，多次改变步骤T4中第二裸芯片(2)的三极管栅极端的第二栅极控制电压UG2的电压值，计算出不同的第二栅极控制电压UG2下，第二裸芯片(2)的漏源开启电阻参数RDSON。