[发明专利]裸芯片的晶圆参数的测试方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种裸芯片的晶圆参数的测试方法。

背景技术

晶圆划片后，在未封装前，在晶圆上能看到紧密相连的裸芯片(die)。裸芯片包括衬底层SUB、外延生长层EPI、基础器件层，其中基础器件包括三极管。为保证裸芯片的良品率，为此，要对裸芯片进行晶圆测试(CP，Circuit Prober)。晶圆测试(Wafer test)是半导体后道封装测试的第一站，晶圆测试有很多个名称，比如针测、中测、CP(Circuit Probing)、Wafer Sort、Wafer Probing等等。晶圆测试的目的是将裸芯片中不良的芯片挑选出来。所用到的设备有测试机(IC Tester)、探针卡(Probe Card)、探针台(Prober)以及测试机与探针卡之间的接口(Mechanical Interface)。晶圆测试的测试项目，包括漏源击穿电压U_(BR)DS，饱和漏极电流I_DSS，栅源控制电流I_GSS，漏源开启电阻R_DSON。其中漏源开启电阻R_DSON参数，根据栅极控制电压的不同，其阻值大小也不同。为此，要在不同的栅极控制电压下，分别测出R_DSON参数的阻值。

现有技术中，裸芯片的晶圆参数的测试方法，是采用4针或者5针探针卡压接到一个裸芯片的正面和背面进行测试，并且需要对裸芯片的背面进行减薄、蒸金工艺后，测试源极到衬底之间电阻参数R_DSON。此种测试方法，在对R_DSON参数进行测试时，晶圆的背面也要设置探针，要对晶圆中裸芯片的正面和背面同时进行测试，从而根据中测的测试项目参数判断裸芯片在不同的栅极控制电压值范围内为合格品或者不合格品。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是，克服以上不足，提供了一种裸芯片的晶圆参数的测试方法，该裸芯片的晶圆参数的测试方法，仅需要对晶圆的正面进行单面测试，便可测试出晶圆中裸芯片测试项目，从而判断裸芯片的为合格品或者不合格品。

为了解决上述技术问题，本发明的技术方案是：一种裸芯片的晶圆参数的测试方法，采用八根探针的探针卡压接在相邻近的两个裸芯片的正面进行测试；其中二根探针的一端压接在第二裸芯片的三极管的源极测试点，另外一端通过探针卡与测试机台的接口电连接；其中二根探针的一端压接在第二裸芯片的三极管的栅极测试点，其栅极测试点的供电电压为第二栅极控制电压U_G2，另外一端通过探针卡与测试机台的接口电连接；其中二根探针的一端压接在第一裸芯片的三极管的源极测试点，另一端通过探针卡与测试机台的接口电连接；其中二根探针通过探针卡上安装的电池E串接后，压接在第一裸芯片的三极管的栅极测试点，其栅极测试点的供电电压为第一栅极控制电压U_G1；测试机台的接口5与测试机台电连接；其测试步骤如下：

T1，测试出晶圆中第一裸芯片和第二裸芯片的三极管的饱和漏极电流I_DSS、以及除三极管的漏源开启电阻R_DSON之外的参数；

T2，在第一裸芯片和第二裸芯片的三极管的栅极端加入相同的栅极控制电压、漏极端加入步骤T1中的饱和漏极电流I_DSS，测试出第二裸芯片的三极管的源漏电压U_DS，通过公式R1＝U_DS/I_DSS，计算出相同栅极控制电压下第一裸芯片和第二裸芯片串联后的第一电阻R1；

T3，将步骤T2中的第一电阻R1除以2，得到第一裸芯片和第二裸芯片的三极管的漏源开启电阻参数R_DSON；

T4，保持第一裸芯片的三极管的栅极端的第一栅极控制电压U_G1的电压值，改变第二裸芯片的三极管的栅极端的第二栅极控制电压U_G2的电压值，在第二裸芯片的三极管的漏极端加入步骤T1中的饱和漏极电流I_DSS，测试出第二裸芯片的三极管的源漏电压U_DS2，通过公式R2＝U_DS2/I_DSS，计算出不同栅极控制电压下第一裸芯片和第二裸芯片串联后的第二电阻R2；通过公式R_DSON＝R2-1/2R1，计算出第二裸芯片的三极管在第二栅极控制电压U_G2下的漏源开启电阻参数R_DSON。