[发明专利]半导体装置的制造方法无效
| 申请号： | 201110060035.0 | 申请日： | 2007-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN102161471A | 公开（公告）日： | 2011-08-24 |
| 发明（设计）人： | 内海胜喜;隈川隆博;松浦正美;松岛芳宏 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体装置的制造方法。目的在于：当制造具有脆弱部分的结构的半导体装置时，在避免对半导体装置造成损坏的情况下进行切割。本发明的半导体装置(100)的制造方法，包括：工序(a)，在具有多个芯片的半导体晶片(101)中的各个芯片的规定区域上形成振动膜(103)；工序(b)，将含有位于各个芯片的振动膜(103)上的牺牲层(113)的中间膜(102)形成在半导体晶片上；工序(c)，在中间膜(102)上形成固定膜(104)；工序(d)，通过对半导体晶片(101)进行刀片切割，来将各个芯片(100a)分开；以及工序(e)，通过对各个芯片(100a)进行蚀刻，来除去牺牲层(113)，在振动膜(103)与固定膜(104)之间设置空隙。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：工序a，在具有多个芯片的半导体晶片中的上述各个芯片的规定区域上形成振动膜；工序b，将含有位于上述各个芯片的上述振动膜上的牺牲层的中间膜形成在上述半导体晶片上；工序c，在上述中间膜上形成固定膜；工序d，通过对上述半导体晶片进行蚀刻，来除去上述牺牲层，在上述振动膜与上述固定膜之间设置空隙；以及工序e，沿着没有形成氧化膜或者金属膜的划分线的切断线，通过从形成了上述固定膜的面的一侧对上述半导体晶片进行激光切割，来将上述各个芯片分开，在除去上述牺牲层并设置空隙的工序d之后进行分离上述芯片的工序e。
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