[发明专利]半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：

工序a，在具有多个芯片的半导体晶片中的上述各个芯片的规定区域上形成振动膜；

工序b，将含有位于上述各个芯片的上述振动膜上的牺牲层的中间膜形成在上述半导体晶片上；

工序c，在上述中间膜上形成固定膜；

工序d，通过对上述半导体晶片进行蚀刻，来除去上述牺牲层，在上述振动膜与上述固定膜之间设置空隙；以及

工序e，沿着没有形成氧化膜或者金属膜的划分线的切断线，通过从形成了上述固定膜的面的一侧对上述半导体晶片进行激光切割，来将上述各个芯片分开，

在除去上述牺牲层并设置空隙的工序d之后进行分离上述芯片的工序e。

2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：

在上述工序e中，对上述半导体晶片的与形成了上述固定膜的面相反的面粘贴切割胶带，然后，从形成了上述固定膜的面进行上述激光切割。

3.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：

上述工序e，包括：通过对上述各个芯片的周围进行激光照射来形成围绕上述各个芯片的变质层的工序、和通过对上述半导体晶片施加力来沿着上述变质层将上述各个芯片分开的工序。

4.根据权利要求3所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：

上述变质层被形成作为多晶体质层。

5.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：

在上述工序c中，在上述固定膜中形成多个音孔。

6.根据权利要求1到4的任意一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：

在上述工序e中，在上述固定膜露出的状态下进行激光照射。

7.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：

在上述工序d之前，还进行在上述各个芯片中形成贯通孔的工序。

8.根据权利要求7所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：

上述贯通孔被形成为使得露出上述振动膜。