[发明专利]发光器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201110058560.9 | 申请日： | 2011-03-08 |
| 公开（公告）号： | CN102194932A | 公开（公告）日： | 2011-09-21 |
| 发明（设计）人： | 郑泳奎;朴径旭;宋俊午;崔光基;宋大正 | 申请（专利权）人： | LG伊诺特有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/32;H01L33/02;H01L33/36;H01L25/075;H01L33/48;H01L33/62 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 陆弋;王伟 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开了一种发光器件及其制造方法，其包括以下步骤：在衬底上形成化合物半导体层，该衬底包括芯片区域和隔离区域；选择性地蚀刻该化合物半导体层，以在芯片区域上形成发光结构并在隔离区域上形成缓冲结构；在发光结构和缓冲结构上形成导电支撑构件；通过使用激光剥离工艺来移除所述衬底；以及对导电支撑构件进行分割，以形成芯片区域的多个芯片，其中，所述缓冲结构与发光结构间隔开。 | ||
| 搜索关键词： | 发光 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种制造发光器件的方法，包括：在衬底上形成化合物半导体层，所述衬底包括芯片区域和隔离区域；选择性地蚀刻所述化合物半导体层，以在所述芯片区域上形成发光结构并在所述隔离区域上形成缓冲结构；在所述发光结构和所述缓冲结构上形成导电支撑构件；通过使用激光剥离工艺来移除所述衬底；以及对所述导电支撑构件进行分割，以形成所述芯片区域的多个芯片，其中，所述缓冲结构与所述发光结构间隔开。
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