[发明专利]一种具有低串联电阻的晶体硅太阳电池及其制备方法

摘要

一种具有低串联电阻的晶体硅太阳电池，包括p-n结，在p-n结的前表面设有钝化层、细栅线金属电极和主栅线金属电极，在p-n结的背面设有背面电场和背面电极，且细栅线金属电极、主栅线金属电极、背面电场和背面电极与p-n结相连通，在晶体硅太阳电池的前表面全部或局部区域设有透明导电膜。该太阳电池具有透明导电膜-金属电极-钝化层结构，其中透明导电薄膜可以连接断栅，减少断栅带来的功率损失；该薄膜可降低电池前表面的串联电阻，增强电池的导电能力；同时可以对电池正面的金属电极起到保护作用，并防止金属电极氧化；通过调控透明导电膜，还可以调控晶体硅太阳电池的反射率和颜色。本发明还公开了上述晶体硅太阳电池的制备方法。

主权项

一种具有低串联电阻的晶体硅太阳电池，包括p‑n结，在p‑n结的前表面设有钝化层、细栅线金属电极和主栅线金属电极，在p‑n结的背面设有背面电场和背面电极，所述的细栅线金属电极、主栅线金属电极、背面电场和背面电极与p‑n结相连通，其特征是：在晶体硅太阳电池的前表面全部区域或局部区域设有透明导电膜。