[发明专利]一种具有低串联电阻的晶体硅太阳电池及其制备方法

权利要求书

1.一种具有低串联电阻的晶体硅太阳电池，包括p-n结，在p-n结的前表面设有钝化层、细栅线金属电极和主栅线金属电极，在p-n结的背面设有背面电场和背面电极，所述的细栅线金属电极、主栅线金属电极、背面电场和背面电极与p-n结相连通，其特征是：在晶体硅太阳电池的前表面全部区域或局部区域设有透明导电膜。

2.根据权利要求1所述的具有低串联电阻的晶体硅太阳电池，其特征是：在晶体硅太阳电池的前表面的局部区域还设有掩模，在电池的前表面未被掩模覆盖的区域上设有透明导电膜。

3.根据权利要求1或2所述的具有低串联电阻的晶体硅太阳电池的制备方法，其特征是：制备出晶体硅太阳电池后，在电池前表面整面镀上透明导电膜或利用掩模先对电池前表面局部区域进行选择性覆盖，在电池的前表面未被掩模覆盖的区域镀上透明导电膜，形成透明导电膜-金属电极-钝化层结构，即制备得具有低串联电阻的晶体硅太阳电池。

4.根据权利要求3所述的具有低串联电阻的晶体硅太阳电池的制备方法，其特征是：采用掩模对电池前表面进行选择性覆盖的具体过程为：制备晶体硅太阳电池后，选取掩模，并将掩模与电池进行对位、调整，使电池前表面的局部区域被掩模选择性覆盖，接着固定；然后调整镀膜参数，用镀膜设备在晶体硅太阳电池前表面未被掩模覆盖的区域镀上透明导电薄膜，形成带有掩模图案的透明导电膜-金属电极-钝化层结构。

5.根据权利要求3所述的具有低串联电阻的晶体硅太阳电池的制备方法，其特征是：所述的透明导电膜的材质包括金属氧化物和掺杂物，其中所述的金属氧化物为ZnO、In₂O₃、SnO₂、CdO、TiO₂、CdIn₂O₄、Cd₂SnO₄和Zn₂SnO₄中的一种或几种，所述的掺杂物为Sn、Sb、F、Al、Ge、Ga、Zr、B、Mo、Ni和Zn中一种或几种。

6.根据权利要求3所述的具有低串联电阻的晶体硅太阳电池的制备方法，其特征是：所述的透明导电膜的厚度为1-1000nm，折射率为1.1-6.0。

7.根据权利要求3所述的具有低串联电阻的晶体硅太阳电池的制备方法，其特征是：所述的镀透明导电膜采用蒸发、溅射、离子镀或CVD方法制成。

8.根据权利要求3所述的具有低串联电阻的晶体硅太阳电池的制备方法，其特征是：所述的掩模为金属掩模，所述的金属掩模的材质为不锈钢、铜、硅钢片、铝和镍中的一种或几种组成的合金。

9.根据权利要求3所述的具有低串联电阻的晶体硅太阳电池的制备方法，其特征是：制备的晶体硅太阳电池中主栅线金属电极和细栅线电极的主要成分为银、铝、金、铜和镍中的一种或几种，其中主栅线金属电极的宽度为0.5-5mm。

10.根据权利要求3所述的具有低串联电阻的晶体硅太阳电池的制备方法，其特征是：所述的钝化层的主要成分为氮化硅、氧化硅、氧化铝和非晶硅中的一种或几种，所述的钝化层的厚度为1-600nm，折射率为1.1-4.0。