[发明专利]栅极结构及其制造方法无效
| 申请号： | 201110052271.8 | 申请日： | 2011-03-04 |
| 公开（公告）号： | CN102655168A | 公开（公告）日： | 2012-09-05 |
| 发明（设计）人： | 钟汇才;骆志炯;梁擎擎 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L21/283;H01L21/28 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 王波波 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请公开了一种栅极结构及其制造方法，该栅极结构包括栅极叠层，形成在半导体衬底上，从下至上包括界面氧化物层、高K电介质层和金属栅电极；第一电介质层，位于栅极叠层的侧壁上并作为第一侧墙；以及牺牲金属层，位于第一电介质层的侧壁上并作为第二侧墙。该栅极结构中的牺牲金属层在退火步骤中减小了界面氧化物层的厚度，从而可以应用于小尺寸的半导体器件，其中栅电介质层具有低的EOT值。 | ||
| 搜索关键词： | 栅极 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种栅极结构，包括栅极叠层，形成在半导体衬底上，从下至上包括界面氧化物层、高K电介质层和金属栅电极；第一电介质层，位于栅极叠层的侧壁上并作为第一侧墙；以及牺牲金属层，位于第一电介质层的侧壁上并作为第二侧墙。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院微电子研究所，未经中国科学院微电子研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201110052271.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：电缆芯线管状毛刺报警器
- 下一篇：全功率异步风力发电机组的测试装置
- 同类专利
- 专利分类
