[发明专利]薄膜晶体管的制作方法有效
| 申请号： | 201110051214.8 | 申请日： | 2011-03-03 |
| 公开（公告）号： | CN102176417A | 公开（公告）日： | 2011-09-07 |
| 发明（设计）人： | 姜信铨;赖宥豪;李怀安 | 申请（专利权）人： | 华映视讯（吴江）有限公司;中华映管股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/34 | 分类号： | H01L21/34;H01L29/786 |
| 代理公司： | 上海汉声知识产权代理有限公司 31236 | 代理人： | 胡晶 |
| 地址： | 215217 江苏省苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种薄膜晶体管的制作方法。于一基材上形成一栅极、一源极以及一漏极。于基材上形成一栅绝缘层，以覆盖栅极并隔绝栅极与源极以及栅极与漏极。于栅绝缘层上形成一具有绝缘特性的金属氧化物材料层。于基材上形成一含氢的氮化硅层，以覆盖源极、漏极以及具有绝缘特性的金属氧化物材料层。形成含氢的氮化硅层的方法包括进行一沉积程序，且于结束沉积程序之前，于沉积程序中通入一硅烷气体以使具有绝缘特性的金属氧化物材料层转换成一具有半导体特性的金属氧化物材料层。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 制作方法 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，包括：于一基材上形成一栅极、一源极以及一漏极；于该基材上形成一栅绝缘层，以覆盖该栅极并隔绝该栅极与该源极以及该栅极与该漏极；于该栅绝缘层上形成一具有绝缘特性的金属氧化物材料层；以及于该基材上形成一含氢的氮化硅层，以覆盖该源极、该漏极以及具有绝缘特性的该金属氧化物材料层，其中形成该含氢的氮化硅层的方法包括进行一沉积程序，且于结束该沉积程序之前，于该沉积程序中通入一硅烷气体以使具有绝缘特性的该金属氧化物材料层转换成一具有半导体特性的金属氧化物材料层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
