[发明专利]薄膜晶体管的制作方法

权利要求书

1.一种薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，包括：

于一基材上形成一栅极、一源极以及一漏极；

于该基材上形成一栅绝缘层，以覆盖该栅极并隔绝该栅极与该源极以及该栅极与该漏极；

于该栅绝缘层上形成一具有绝缘特性的金属氧化物材料层；以及

于该基材上形成一含氢的氮化硅层，以覆盖该源极、该漏极以及具有绝缘特性的该金属氧化物材料层，其中形成该含氢的氮化硅层的方法包括进行一沉积程序，且于结束该沉积程序之前，于该沉积程序中通入一硅烷气体以使具有绝缘特性的该金属氧化物材料层转换成一具有半导体特性的金属氧化物材料层。

2.如权利要求1所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，于形成具有绝缘特性的该金属氧化物材料层之后，形成该源极与该漏极，且该源极与该漏极暴露出部分该金属氧化物材料层。

3.如权利要求1所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，于形成该源极与该漏极之后，形成具有绝缘特性的该金属氧化物材料层，该金属氧化物材料层的一部分位于该源极与该漏极之间，而该金属氧化物材料层的另一部分位于该源极与该漏极上。

4.如权利要求1所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，该金属氧化物材料层的材质包括II-VI族化合物。

5.如权利要求4所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，该金属氧化物材料层还掺杂有选自由碱土金属、IIIA族、VA族、VIA族或过渡金属所组成的族群的一或多个元素。

6.如权利要求1所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，形成具有绝缘特性的该金属氧化物材料层的方法包括溅镀法、原子沉积法、旋转涂布法、喷墨印刷法或网版印刷法。

7.如权利要求6所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，该溅镀法包括通入流量介于5 sccm至50 sccm之间的一氧气气体以及流量介于20 sccm至50 sccm之间一氩气气体。

8.如权利要求1所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，该沉积程序中所通入的该硅烷气体的流量介于5 sccm至10 sccm之间。

9.如权利要求1所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，该沉积程序中还包括通入一氧化二氮气体以及一氦气气体，而所通入该氧化二氮气体的流量介于500 sccm至1000 sccm之间，所通入该氦气气体的流量介于1000 sccm至1500 sccm之间。

10.如权利要求1所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，该沉积程序中还包括进行一退火程序，而该退火程序的温度介于200℃至500℃之间。