[发明专利]电荷俘获型栅堆栈及存储单元无效
| 申请号： | 201110050091.6 | 申请日： | 2011-03-02 |
| 公开（公告）号： | CN102655167A | 公开（公告）日： | 2012-09-05 |
| 发明（设计）人： | 霍宗亮;朱晨昕;刘明;李冬梅;张满红;王琴;刘璟 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/792 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 宋焰琴 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种电荷俘获型栅堆栈及存储单元。该栅堆栈由隧穿层、存储层及阻挡层自下而上堆叠而成，其中，该存储层由至少三层介质子层堆叠而成，至少三层介质子层包括至少两层存储介质子层和至少一层夹于存储介质子层之间的能带调制介质子层，能带调制介质子层用于改变存储层中的电荷分布，以减少靠近阻挡层的电荷，使得电荷集中于存储层中。本发明中，通过有效控制存储层中的电荷分布，可以提高栅堆栈存储层对电荷的束缚能力的数据保持特性，实现器件的高可靠性操作。此外，本发明通过引入存储层能带调制结构，实现电荷俘获型非挥发存储器件编程效率、操作电压等器件性能的优化。 | ||
| 搜索关键词： | 电荷 俘获 堆栈 存储 单元 | ||
【主权项】：
一种电荷俘获型栅堆栈，其特征在于，该栅堆栈由隧穿层、存储层及阻挡层自下而上堆叠而成，其中，该存储层由至少三层介质子层堆叠而成，所述至少三层介质子层包括至少两层存储介质子层和至少一层夹于所述存储介质子层之间的能带调制介质子层，所述能带调制介质子层用于改变存储层中的电荷分布，以减少靠近阻挡层的电荷，使得电荷集中于存储层中。
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