[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 201110050015.5 | 申请日： | 2011-03-02 |
| 公开（公告）号： | CN102194888A | 公开（公告）日： | 2011-09-21 |
| 发明（设计）人： | 朴在佑;李制勋;延圣珍;金连洪 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/04;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 张波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供一种薄膜晶体管及其制造方法。一种薄膜晶体管包括：栅电极，形成在基板上；半导体图案，与栅电极重叠；源电极，与半导体图案的第一端重叠；以及漏电极，与半导体图案的第二端重叠且与源电极间隔开。半导体图案包括非晶多元素化合物，该非晶多元素化合物包括II B族元素和VI A族元素或者包括III A族元素和V A族元素并具有不小于1.0cm2/Vs的电子迁移率和非晶相，其中VI A族元素包括不包括氧。这样，薄膜晶体管的驱动特性得到提高。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管，包括：栅电极，形成在基板上；半导体图案，与所述栅电极重叠并包括非晶多元素化合物，所述多元素化合物包括II B族元素和VI A族元素或者包括III A族元素和V A族元素，其中所述VI A族元素包括不包括氧，其中所述半导体图案具有不小于1.0cm2/Vs的电子迁移率，且其中所述多元素化合物具有非晶相；源电极，与所述半导体图案的第一端重叠；及漏电极，与所述半导体图案的第二端重叠且与所述源电极间隔开。
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