[发明专利]非易失性存储器件、其擦除方法以及包括其的存储系统有效
| 申请号： | 201110047620.7 | 申请日： | 2011-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN102194523A | 公开（公告）日： | 2011-09-21 |
| 发明（设计）人： | 韩真晚;金杜坤 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C16/14 | 分类号： | G11C16/14;G11C16/06 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 邵亚丽 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 提供一种非易失性存储器件的擦除方法。所述擦除方法向分别连接到所述存储单元的多条字线施加字线擦除电压，向连接到地选择晶体管的地选择线施加特定电压，向在向所述地选择线施加所述特定电压的步骤中在其中形成存储串的衬底施加擦除电压，以及响应于所述衬底的电压变化浮置所述地选择线。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性存储器 擦除 方法 以及 包括 存储系统 | ||
【主权项】：
一种非易失性存储器件的擦除方法，该非易失性存储器件具有存储串，该存储串包括多个存储单元、串选择晶体管和地选择晶体管，所述擦除方法包括：向分别连接到所述存储单元的多条字线施加字线擦除电压；向连接到所述地选择晶体管的地选择线施加特定电压；向在向所述地选择线施加特定电压的步骤中在其中形成所述存储串的衬底施加擦除电压；以及响应于所述衬底的电压变化浮置所述地选择线。
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