[发明专利]具有埋栅的垂直沟道结型场效应晶体管及其制造方法无效
| 申请号： | 201110043935.4 | 申请日： | 2005-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN102136501A | 公开（公告）日： | 2011-07-27 |
| 发明（设计）人： | 成林;M·S·马佐拉 | 申请（专利权）人： | 半南实验室公司;密西西比州立大学 |
| 主分类号： | H01L29/808 | 分类号： | H01L29/808;H01L29/06;H01L29/10;H01L21/337 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 马景辉 |
| 地址： | 美国密*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明描述了半导体器件和制造器件的方法，涉及具有埋栅的垂直沟道结型场效应晶体管(VJFET)以及制造这些器件的方法。器件可以在SiC中实现并且可以包括外延生长n型漂移层和p型开槽栅区、以及位于开槽p型栅区顶上的外延再生长n型平整沟道区。源区可以被外延再生长于沟道区顶上或选择性注入到沟道区中。然后可以形成对源区、栅区和漏区的欧姆接触。器件可以包括边缘终端结构诸如保护环、结终端扩展(JTE)、或其它合适的p-n阻断结构。器件可以被制造为具有不同的阈值电压，并且对于相同的沟道掺杂可以被实现为耗尽型和增强型工作模式。器件可被用于分立功率晶体管以及用在数字、模拟、和单片微波集成电路中。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 垂直 沟道 场效应 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：衬底层，包括第一导电类型的半导体材料；衬底层上的漂移层，所述漂移层包括第一导电类型的半导体材料；漂移层上的外延栅区，其中所述栅区包括与第一导电类型不同的第二导电类型的半导体材料；在漂移层上并覆盖着栅区的第一部分的第一导电类型的沟道层，使得栅区的第一部分掩埋在沟道层的下方；以及沟道层上的第一导电类型的源层。
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