[发明专利]一种SONOS结构及制造方法有效
| 申请号： | 201110039629.3 | 申请日： | 2011-02-17 |
| 公开（公告）号： | CN102646579A | 公开（公告）日： | 2012-08-22 |
| 发明（设计）人： | 三重野文健;禹国宾;史运泽;何永根 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/285;H01L29/49;H01L29/51 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 20120*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种SONOS结构及制造方法，通过CVD气相沉积形成富Si和/或富Ge的SiGeN层，并等离子体氧化处理富Si和/或富Ge的SiGeN层的顶层形成纳米晶粒层，从而以未经处理的SiGeN层和纳米晶粒层作为电荷捕获层，得到了硅衬底-第一氧化层-SiGeN层-纳米晶粒层-第二氧化层-多晶硅的堆叠结构，一方面通过富Si和/或富Ge的SiGeN层，增大电荷捕获陷阱密度和各层界面势垒高度，增强电荷捕获层内部自建电场，提高电荷捕获和保持性能，抑制保持电荷损失；另一方面采用纳米晶粒层的纳米晶粒作为电荷捕获点，其能带隙较小，阱位置较稳定，使得纳米晶粒层捕获的电荷不易失去，具有较高的电荷捕获和保持能力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 sonos 结构 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种SONOS结构的制造方法，其特征在于，包括：提供硅衬底，在所述硅衬底上依次沉积第一氧化层，富Si和/或富Ge的SiGeN层；等离子体氧化处理所述富Si和/或富Ge的SiGeN层顶层，并进行快速退火处理；在所述富Si和/或富Ge的SiGeN层上依次沉积第二氧化层和多晶硅层；刻蚀所述多晶硅层，第二氧化层，富Si和/或富Ge的SiGeN层和第一氧化层，形成SONOS复合栅结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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