[发明专利]低成本芯片扇出结构的封装方法有效
申请号: | 201110033765.1 | 申请日: | 2011-01-31 |
公开(公告)号: | CN102157392A | 公开(公告)日: | 2011-08-17 |
发明(设计)人: | 张黎;赖志明;陈栋;陈锦辉 | 申请(专利权)人: | 江阴长电先进封装有限公司 |
主分类号: | H01L21/50 | 分类号: | H01L21/50;H01L21/60;H01L21/56 |
代理公司: | 江阴市同盛专利事务所 32210 | 代理人: | 唐纫兰 |
地址: | 214434 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及一种低成本芯片扇出结构的封装方法,所述方法包括以下工艺步骤:一、取载体基板;二、在载体基板上贴上临时粘结膜;三、将芯片倒装至载体基板上;四、将带有芯片的载体基板用塑封体进行包封,形成重构基板;五、将重构基板与载体基板剥离;六、在重构基板上罩上掩膜板,通过光刻或者激光的方式在掩膜板上形成掩膜图形开口;七、在形成掩膜图形开口的重构基板上形成再布线金属;八、移除掩膜板;九、在重构基板上印刷或者贴再布线金属保护膜;十、在再布线金属保护膜上打出开口图形;十一、在开口图形处植球并回流,形成金属凸点。本发明的低成本芯片扇出结构封装方法,可极大程度的降低工艺难度和工艺成本,可实现低成本芯片扇出结构的规模化生产。 | ||
搜索关键词: | 低成本 芯片 结构 封装 方法 | ||
【主权项】:
一种低成本芯片扇出结构的封装方法,其特征在于:所述方法包括以下工艺步骤:步骤一、取载体基板,载体基板尺寸为长250×宽70mm;步骤二、在载体基板上预先形成对位图形,在预先形成对位图形的载体基板上贴上临时粘结膜;步骤三、将芯片倒装至贴有临时粘结膜的载体基板上;步骤四、将带有芯片的载体基板用塑封体进行包封,形成重构基板;步骤五、将包封后形成的重构基板与载体基板剥离;步骤六、在重构基板上罩上掩膜板,通过光刻或者激光的方式在掩膜板上形成掩膜图形开口;步骤七、利用离子镀的方式在形成掩膜图形开口的重构基板上形成再布线金属;步骤八、移除掩膜板;步骤九、在形成再布线金属的重构基板上印刷或者贴再布线金属保护膜;步骤十、在再布线金属保护膜上应用激光打出开口图形;步骤十一、在步骤十形成的开口图形处植球并回流,形成金属凸点。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于江阴长电先进封装有限公司,未经江阴长电先进封装有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201110033765.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:晶圆级转接板的制备方法
- 下一篇:化学机械研磨的残留物去除方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造