[发明专利]背照式传感器工艺

摘要

本发明提供了在背照式半导体器件中减少暗电流的方法和器件。在一个实施例中，制造半导体器件的方法包括提供一种具有前表面和后表面的基板，和在基板中形成多个传感器元件，对多个传感器元件的每一个都进行配置成能够接收直接照在背表面的光。所述方法进一步包括在基板的背表面形成介电层，其中所述介电层具有压缩应力以在基板中产生拉伸应力。还公开了使用这种方法制造的背照式半导体器件。

主权项

一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：提供具有正表面和背表面的基板；在所述基板上形成多个传感器元件，所述多个传感器元件的每一个都配置成接收照向所述背表面的光；并且在所述基板的所述背表面上形成介电层，其中所述介电层具有压缩应力。