[发明专利]背照式传感器工艺

权利要求书

1.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：

提供具有正表面和背表面的基板；

在所述基板上形成多个传感器元件，所述多个传感器元件的每一个都配置成接收照向所述背表面的光；并且

在所述基板的所述背表面上形成介电层，其中所述介电层具有压缩应力。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述介电层具有大于1Pa，10MPa，或10GPa的压缩应力。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述介电层由SiN，SiON，SiC，Ta2O5，Al2O3，HfO2，ZrO2，TiO2，或其合金构成。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述介电层通过电源功率介于约500瓦特到约1000瓦特，压力介于约1托到约5托，以及温度大于约400摄氏度的等离子增强型化学汽相沉积法(PECVD)沉积。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述介电层通过等离子增强型化学汽相沉积法(PECVD)，化学汽相沉积法(CVD)，或原子层沉积法(ALD)沉积。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述介电层沉积成介于约200埃到约2000埃之间的厚度。

7.根据权利要求1所述的方法，其中所述介电层具有大于约1.9的折射率和约0的消光系数。

8.根据权利要求1所述的方法，其中将每一个所述传感器元件形成为光电探测器，所述光电探测器选自由互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器，电荷耦合器件传感器，有源像素传感器，无源像素传感器，以及其组合所组成的组。

9.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括刻蚀所述介电层，然后在所述介电层上形成多个滤色器。

10.一种背照式的半导体器件，包括：

具有正表面和背表面的基板；

在所述基板中的多个传感器元件，所述多个传感器元件中的每一个都配置成接收照向所述背表面的光；和

配置在所述基板的所述背表面上的介电层，其中所述介电层具有大于约1Pa的压缩应力。