[发明专利]半导体存储器件的操作方法有效
| 申请号： | 201110021404.5 | 申请日： | 2011-01-19 |
| 公开（公告）号： | CN102314944A | 公开（公告）日： | 2012-01-11 |
| 发明（设计）人： | 郑丙官 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/06 | 分类号： | G11C16/06;G11C16/10 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 郭放;张文 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体存储器件的操作方法，包括以下步骤：擦除存储块的存储器单元以将存储器单元设置为第一擦除状态；对存储块的存储器单元中的一部分编程以使它们转变为编程状态；提高存储块中的选中的存储器单元的阈值电压并使选中的存储器单元从编程状态转变为第二擦除状态；以及从处在第一擦除状态下、编程状态下和第二擦除状态下的存储器单元中读取数据，并使从第一擦除状态下和第二擦除状态下的存储器单元读取的数据以相同的值输出。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 器件 操作方法 | ||
【主权项】：
一种半导体存储器件的操作方法，所述方法包括以下步骤：对选中的存储块的存储器单元编程；以及将选中的存储器单元的阈值电压移动为高于预定电压电平，以使所述选中的存储器单元转变为虚拟擦除状态，其中，来自于所述虚拟擦除状态下的存储器单元的数据在读取操作期间被输出为擦除数据值。
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