[发明专利]半导体存储器件的操作方法

权利要求书

1.一种半导体存储器件的操作方法，所述方法包括以下步骤：

对选中的存储块的存储器单元编程；以及

将选中的存储器单元的阈值电压移动为高于预定电压电平，以使所述选中的存储器单元转变为虚拟擦除状态，

其中，来自于所述虚拟擦除状态下的存储器单元的数据在读取操作期间被输出为擦除数据值。

2.如权利要求1所述的方法，还包括以下步骤：在对所述存储器单元编程之前，擦除所述选中的存储块。

3.如权利要求1所述的方法，其中，将选中的存储器单元的阈值电压移动为高于预定电压电平的步骤包括以下步骤：在对包括所述选中的单元的页的字线施加相对高的电压的同时，对与所述选中的单元相耦接的位线施加操作电压。

4.如权利要求3所述的方法，其中，将选中的存储器单元的阈值电压移动为高于预定电压电平的步骤还包括以下步骤：对与所述页内的其余未选中的存储器单元相耦接的位线施加电源电压，以阻止所述其余未选中的存储器单元的阈值电压升高。

5.一种半导体存储器件的操作方法，所述方法包括以下步骤：

擦除存储块的存储器单元，以将所述存储器单元设置为第一擦除状态；

对所述存储块的所述存储器单元中的一部分编程以使它们转变为编程状态；以及

提高选中的存储器单元的阈值电压以使所述选中的存储器单元转变为第二擦除状态，所述选中的存储器单元是从所述编程状态下的存储器单元之中选出的，

其中，所述第二擦除状态下的存储器单元具有与所述第一擦除状态下的存储器单元相同的读取数据值。

6.如权利要求5所述的方法，还包括以下步骤：在提高所述选中的存储器单元的阈值电压之后，读取被编程在所述存储块中的数据，

其中，所述读取步骤包括使用第一读取电压的第一读取操作和使用第二读取电压的第二读取操作。

7.如权利要求6所述的方法，其中，所述第一读取操作通过确定存储器单元是处在所述第一擦除状态还是处在所述编程状态来读取数据，而所述第二读取操作通过确定存储器单元是处在所述编程状态还是处在所述第二擦除状态来读取数据。

8.如权利要求5所述的方法，其中，提高选中的存储器单元的阈值电压的步骤包括以下步骤：在对包括所述选中的存储器单元的页的字线施加相对高的电压的同时，对与所述选中的存储器单元相耦接的位线施加操作电压。

9.如权利要求8所述的方法，其中，提高选中的存储器单元的阈值电压的步骤还包括以下步骤：对与所述页的其余未选中的存储器单元相耦接的位线施加电源电压，以阻止所述其余未选中的存储器单元的阈值电压升高。

10.一种半导体存储器件的操作方法，所述方法包括以下步骤：

擦除存储块的存储器单元以将所述存储器单元设置为第一擦除状态；

对所述存储块的所述存储器单元中的一部分编程以使它们转变为编程状态；

提高所述存储块中的选中的存储器单元的阈值电压并使所述选中的存储器单元从编程状态转变为第二擦除状态；以及

从处在第一擦除状态下、编程状态下和第二擦除状态下的存储器单元中读取数据，并使从所述第一擦除状态下和所述第二擦除状态下的存储器单元读取的数据以相同的值输出。

11.如权利要求10所述的方法，其中，所述读取步骤是通过使用第一读取电压的第一读取操作和使用第二读取电压的第二读取操作的顺序来进行的。

12.如权利要求11所述的方法，其中，所述第一读取操作从处在所述第一擦除状态和所述编程状态的存储器单元中读取数据，而所述第二读取操作从处在所述编程状态和所述第二擦除状态的存储器单元中读取数据。

13.如权利要求10所述的方法，其中，使所述选中的存储器单元转变为所述第二擦除状态的步骤包括以下步骤：在对包括所述选中的存储器单元的页的字线施加高电压的同时，对与所述选中的存储器单元相耦接的位线施加比所述高电压低的操作电压。